625um bis 675um 4 Zoll Blaue LED Galliumnitrid GaN Epitaxial Wafer auf Saphir SSP Flat Saphir
Qualität GaN Epitaxial Wafer aus China.
Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführte Methode wird in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 eingeführt.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Qualitätshersteller aus China.
Wir liefern:
GaN Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gan_epitaxial_wafer-3081161.html
SiC-Epitaxialwafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, eine Reihe von Maßnahmen zu ergreifen, um die Anwendung der Verordnung (EG) Nr. 1107/2009 zu verhindern.
Sie können unsere offizielle Website besuchen: http://www.epi-wafers.com
Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführte Methode wird in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 eingeführt.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Qualitätshersteller aus China.
Wir liefern:
GaN Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gan_epitaxial_wafer-3081161.html
SiC-Epitaxialwafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, eine Reihe von Maßnahmen zu ergreifen, um die Anwendung der Verordnung (EG) Nr. 1107/2009 zu verhindern.
Sie können unsere offizielle Website besuchen: http://www.epi-wafers.com
GaN Epitaxial Wafer
Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer
Freie Stellung GaN Substrates
Blaue LED GaN Epitaxial Wafer
Galliumnitrid (GaN) Substrat-Ausstellungsbildschirm
-
JDCD04-001-007 10 x 10 mm2 (010) Sn-dotiertes freistehendes Ga2O3-Einkristall-Substrat Produktqualität Einzelpolierung
Kontakt -
JDCD07-001-004 7-Zoll-SOI-Epitaxialwafer für die MEMS-Verarbeitung
Kontakt -
JDCD07-001-001 4-Zoll-SOI-Epitaxialwafer für die MEMS-Verarbeitung
Kontakt -
JDCD07-001-002 5-Zoll-SOI-Epitaxialwafer für die MEMS-Verarbeitung
Kontakt -
JDCD08-001-007 8-Zoll-C-Plane-Saphir-Substratwafer
Kontakt
In Verbindung stehende Videos
Wissen Sie, wie man die Vorder- und Rückseite von GaN-Wafern unterscheidet?
GaN-Substrat
July 19, 2024
