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625um bis 675um 4 Zoll Blaue LED Galliumnitrid GaN Epitaxial Wafer auf Saphir SSP Flat Saphir

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
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625um bis 675um 4 Zoll Blaue LED Galliumnitrid GaN Epitaxial Wafer auf Saphir SSP Flat Saphir

625um bis 675um 4 Zoll Blaue LED Galliumnitrid GaN Epitaxial Wafer auf Saphir SSP Flat Saphir
625um To 675um 4 Inch Blue LED Gallium Nitride GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire
625um bis 675um 4 Zoll Blaue LED Galliumnitrid GaN Epitaxial Wafer auf Saphir SSP Flat Saphir 625um bis 675um 4 Zoll Blaue LED Galliumnitrid GaN Epitaxial Wafer auf Saphir SSP Flat Saphir

Großes Bild :  625um bis 675um 4 Zoll Blaue LED Galliumnitrid GaN Epitaxial Wafer auf Saphir SSP Flat Saphir

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou-Porzellan
Markenname: GaNova
Zertifizierung: UKAS/ISO9001:2015
Modellnummer: JDWY03-001-031
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 5
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 6 Stück oder Einzelwaf
Lieferzeit: 3-4 Wochentage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück/Monat

625um bis 675um 4 Zoll Blaue LED Galliumnitrid GaN Epitaxial Wafer auf Saphir SSP Flat Saphir

Beschreibung
Produktbezeichnung: Blau des GaN-auf-Saphir-4inch/grüne LED-Oblate Typ: Flacher Saphir
Stärke: 650 ± 25μm Orientierung: C-Fläche (0001) weg vom Winkel in Richtung zu M-Achse 0,2 ± 0.1°
Polnisch: Simplex poliert (SSP)/doppelte Seite poliert (DSP) Abmessung: 100 ± 0.2mm
Hervorheben:

625-Gang-Epi-Wafer

,

675um Gan Epi-Wafer

,

4 Zoll gan epitaxial Wafer

Substratdicke 650 ± 25 μm 4 Zoll Blaue LED GaN Epitaxial Wafer auf Saphir SSP Flat Saphir

4 Zoll Blaue LED Galliumnitrid GaN-Epitaxialwafer auf Saphir-SSP

 

Zum Beispiel ist Galliumnitrid (GaN) das Substrat, das violete (405 nm) Laserdioden ohne Verwendung einer nichtlinearen optischen Frequenzvermehrung ermöglicht.Seine Empfindlichkeit gegenüber ionisierender Strahlung ist gering (wie andere Nitride der Gruppe III)Auch militärische Anwendungen und Raumfahrtanwendungen könnten davon profitieren, da die Geräte eine Stabilität in Strahlungsumgebungen gezeigt haben.

 

4 Zoll GaN-on-Sapphire Blau/Grün LED-Wafer

 

 

 

Substrat

Typ Flachsafir

 

625um bis 675um 4 Zoll Blaue LED Galliumnitrid GaN Epitaxial Wafer auf Saphir SSP Flat Saphir 0

Polnisch Einseitig poliert (SSP) / doppelseitig poliert (DSP)
Abmessung 100 ± 0,2 mm
Orientierung C-Ebene (0001) ab Winkel zur M-Achse 0,2 ± 0,1°
Stärke 650 ± 25 μm

 

 

 

Epilayer

Struktur 0.2 μm pGaN/0.5 μm MQWs/2.5 μm nGaN/2.0 μm uGaN
Stärke 5.5 ± 0,5 μm
Rauheit (Ra) < 0,5 nm
Verlagerungsdichte < 5 × 108cm-2
Wellenlänge Blaue LED Grüne LED
465 ± 10 nm 525 ± 10 nm
Wellenlänge FWHM < 25 nm < 40 nm
Chipleistung Einschnittspannung@1μA 2.3-2.5V 2.2-2.4V
Nutzfläche > 90% (ausgenommen Rand- und Makrofehler)

 

Paket

 

Verpackt in einem Reinraum in einem Waferbehälter

 

 

Über uns

Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien in Wafer, Substrate und kundenspezifische optische Glasteile. Komponenten, die in Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir arbeiten auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten zusammen., Forschungseinrichtungen und Unternehmen, bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre FuE-Projekte.Es ist unsere Vision, eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden durch unseren guten Ruf zu erhalten.

 

 

Häufig gestellte Fragen

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Wir sind eine Fabrik.
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Im Allgemeinen dauert es 3-5 Tage, wenn die Ware auf Lager ist.
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Zahlung <= 5000 USD, 100% im Voraus.
Zahlungsmittel >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Guthaben vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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