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gallium nitride semiconductor wafer online manufacture

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kaufen 50.8mm Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer 2 Zoll-freie Stellung Online fabricant

50.8mm Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer 2 Zoll-freie Stellung
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2022-10-08 17:22:16
kaufen Fläche des Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer-325um 375um C Online fabricant

Fläche des Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer-325um 375um C
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2024-10-29 11:49:57
kaufen Einkristall-Galliumnitrid-Halbleiterwafer TTV 10um Online fabricant

Einkristall-Galliumnitrid-Halbleiterwafer TTV 10um
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2024-10-29 11:49:57
kaufen GaN-Einkristall-Galliumnitrid-Wafer SI-Typ Online fabricant

GaN-Einkristall-Galliumnitrid-Wafer SI-Typ
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2022-10-08 15:51:24
kaufen Einzelkristall Gan Epi Wafer Galliumnitrid Substrat 4 Zoll Online fabricant

Einzelkristall Gan Epi Wafer Galliumnitrid Substrat 4 Zoll
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2024-12-06 17:44:01
kaufen Doping Halbleiter-einzelnes Crystal Gallium Oxide Substrates UID Online fabricant

Doping Halbleiter-einzelnes Crystal Gallium Oxide Substrates UID
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2022-10-09 10:30:43
kaufen Simplex polierte Ga2O3 Oblate einzelner Crystal Substrate Online fabricant

Simplex polierte Ga2O3 Oblate einzelner Crystal Substrate
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2024-10-29 11:49:58
kaufen 375 um GaN-Epitaxialwafer, freistehende U-GaN-SI-GaN-Substrate Online fabricant

375 um GaN-Epitaxialwafer, freistehende U-GaN-SI-GaN-Substrate
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2024-11-18 19:17:19
kaufen 2 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi-Wafer Galliumnitrid auf Silizium Online fabricant

2 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi-Wafer Galliumnitrid auf Silizium
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2024-12-06 17:35:32
kaufen 4 Zoll uGaN auf Silizium undoped Galliumnitrid auf Silizium Epitaxial Wafer Online fabricant

4 Zoll uGaN auf Silizium undoped Galliumnitrid auf Silizium Epitaxial Wafer
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2024-12-06 17:33:43
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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