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GaN Epitaxial Wafer

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Einzelnes Kristallsubstrat GaN

Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer

C-Gesicht GaN Substrate

CHINA GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

Maße:± 50,8 1 Millimeter

Produktname:freistehender GaN Substrates

Stärke:350 ±25µm
F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

Maße:± 50,8 1 Millimeter

Stärke:350 ±25µm

Bogen:- 10µm ≤ BOGEN ≤ 10µm
2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Maße:± 50,8 1 Millimeter

Stärke:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Fläche des Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer-325um 375um C

Produktname:Einzelnes Kristallsubstrat GaN

Maße:± 50,8 1 Millimeter

Stärke:350 ±25µm
375 um GaN-Epitaxialwafer, freistehende U-GaN-SI-GaN-Substrate

Produktname:2 Zoll freistehende U-GaN/SI-GaN Substrate

Maße:50,8 ± 1mm

Stärke:350 ± 25μm
2 Zoll U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm

Produktname:2 Zoll freistehende U-GaN/SI-GaN Substrate

Maße:50,8 ± 1mm

Stärke:350 ± 25μm
Einzelne Gesichts-UNO Crystal GaN Epitaxial Wafers 2inch C lackierte n-Art

Produktname:2 Zoll freistehende U-GaN/SI-GaN Substrate

Maße:50,8 ± 1mm

Stärke:350 ± 25μm
50.8mm Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer 2 Zoll-freie Stellung

Produktname:2 Zoll freistehende U-GaN/SI-GaN Substrate

GA-Gesichtsoberflächenrauigkeit:< 0="">

Orientierungs-Ebene:(1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1mm
Freie Stellung U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 Millimeter 350 um

Produktname:2 Zoll freistehende U-GaN/SI-GaN Substrate

Maße:50,8 ± 1mm

Stärke:350 ± 25μm
SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um

Produktname:freistehender GaN Substrates

Stärke:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5 x 10 mm2 GaN-Epitaxie-Wafer, undotierter SI-Typ

Produktname:Freistehender GaN Single Crystal Substrate

Stärke:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
GaN-Einkristall-Galliumnitrid-Wafer SI-Typ

Maße:5 x 10mm ²

Produktname:freistehender GaN Substrates

Stärke:350 ±25µm

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