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SP-Gesicht 11-12 Nicht-Doped-N-Typ-frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat Widerstandsfähigkeit 0,05 Ω·cm Makro-Fehlerdichte 0cm−2

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JDCD10-001-002 Si-Doppierte Substrate mit 2 Zoll GaAs (100)

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JDCD10-001-003 2-Zoll-GaAs ((100) Zn-doppierte Substrate

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JDCD10-001-004 2 Zoll GaAs (111) Si-Doppierte Substrate

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JDCD10-001-005 2 Zoll GaAs ((111) Zn-Doppierte Substrate

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JDCD04-001-007 10 x 10 mm2 (010) Sn-dotiertes freistehendes Ga2O3-Einkristall-Substrat Produktqualität Einzelpolierung

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JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Aus 6°) Fe Doped frei stehend Ga2O3 Einkristall Substrat Produktqualität Einfachpolieren

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JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-lackierte freistehendes Ga2O3 einzelnes Crystal Substrate Product Grade einzelnes Polnisch

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350 ± 25 μm Dicke Nicht-Doping-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit TTV ≤ 10 μm und Widerstand 0,1 Ω·cm

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5*10mm2 SP-Gesicht Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Widerstand 0,05 Ω·cm

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JDCD06-001-005 6-Zoll-Silizium-Wafer-MEMS-Geräte Integrierte Schaltungen dedizierte Substrate für diskrete Geräte

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JDCD06-001-004 5-Zoll-Siliziumwafer MEMS-Geräte Integrierte Schaltungen dedizierte Substrate für diskrete Geräte

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10*10,5mm2 C-Gesicht Fe-Doped SI-Typ Freistehendes GaN Einzelkristall Substrat Makro Defekt Dichte 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Widerstand 106 Ω·Cm HF-Geräte Wafer

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JDCD06-001-006 8-Zoll-Siliziumwafer MEMS-Geräte Integrierte Schaltungen dedizierte Substrate für diskrete Geräte

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JDCD06-001-007 12-Zoll-Siliziumwafer MEMS-Geräte Integrierte Schaltungen dedizierte Substrate für diskrete Geräte

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Leistungseinrichtung 5x10mm2 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit einer Resistivität von 0,1 Ω·cm und einer BOW innerhalb von 10 μm

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5x10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Ein-Kristall-Substrat mit TTV ≤ 10μm Widerstand 0,05 Ω·cm

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5*10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat 0,1 Ω·cm Widerstand für Stromgerät

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Makrofehlerdichte 0cm−2 Nicht-Doped-SI-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat für HF-Geräte 5*10mm2 M-Gesicht

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TTV ≤ 10μm A-Gesicht, nicht doppelt, N-Typ, frei stehend, GaN-Einzelstaub-Substrat, Widerstand 0,1 Ω·cm Leistungseinrichtung/Laser W

TTV ≤ 10μm A-Gesicht, nicht doppelt, N-Typ, frei stehend, GaN-Einzelstaub-Substrat, Widerstand 0,1 Ω·cm Leistungseinrichtung/Laser W