JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Aus 6°) Fe Doped frei stehend Ga2O3 Einkristall Substrat Produktqualität Einfachpolieren

10 x 10 mm2 100 (off 6°) Fe-dotiertes freistehendes Ga2O3-Einkristallsubstrat Produktklasse Einzelpolierung Dicke 0,6 ~ 0,8 mm FWHM < 350 Bogensekunden, Ra ≤ 5 nm Optoelektronische Geräte, Isolierschichten aus Halbleitermaterialien und UV-Filter

Die Leistungsdichte ist bei Galliumnitrid-Bauelementen im Vergleich zu Siliziumbauteilen stark verbessert, da GaN die Kapazität hat, viel höhere Schaltfrequenzen auszuhalten.Es hat auch eine erhöhte Fähigkeit, erhöhte Temperaturen auszuhalten.

Galliumnitrid ist ein Halbleiter mit direkter Bandlücke (Bandlücke = 3,4 eV) mit einer Struktur vom Wurtzit-Typ und ist das Material, das zur Herstellung lichtemittierender Vorrichtungen verwendet wird, die korrosiven Umgebungen widerstehen können.Galliumnitrid wird durch die Reaktion von Ga 2 O 3 mit NH 3 bei erhöhten Temperaturen in der Größenordnung von 1000°C hergestellt.

Über uns

Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.

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