Produktdetails:
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Maße: | ± 50,8 1 Millimeter | Stärke: | 350 ±25µm |
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Bogen: | - 10µm ≤ BOGEN ≤ 10µm | Makrodefekt-Dichte: | ² 0cm⁻ |
Verwendbarer Bereich: | > 90% (Randausschluß) | Produktname: | freistehender GaN Substrates |
Nationale Standards von China: | GB/T32282-2015 | ||
Hervorheben: | ISO GaN Substrates,gan Halbleiterwafer,F.E. lackierte GaN Substrates |
C-Gesicht 2inch F.E.-lackierte Si-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft > 106 Ω·cm Rf-Geräte
Die erzielte Durchbruchsspannung der F.E.-lackierten Epitaxial- Schicht GaN kann wie 2457 V so hoch sein, die der F.E.-lackierten Epitaxial- Schicht GaN mit höherem Widerstand zugeschrieben wird, der die hohe Durchbruchsspannung stützen kann. Die Details der Wechselbeziehung zwischen der Oberflächenmorphologie, F.E.-Konzentration und Stärke von F.E.-lackierten Epitaxial- Schichten GaN, die für hohe Durchbruchsspannungsgeräte verwendet werden, werden auch in diesem Papier besprochen.
2 Zoll freistehende Si--GaNsubstrate | ||||||||
Ausgezeichnetes Niveau (S) | Produktionsebene (a) | Forschungsniveau (b) | Blindes Niveau (c) |
Anmerkung: (1) verwendbarer Bereich: Rand und Makrodefektausschluß (2) 3 Punkte: das miscut angelt von den Positionen (2, 4, 5) sind 0,35 ± 0,15O |
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S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | |||||
Maß | ± 50,8 1 Millimeter | |||||||
Stärke | 350 ± 25 μm | |||||||
Orientierungsebene | (1-100) ± 0,5O, ± 16 1 Millimeter | |||||||
Sekundärorientierungsebene | (11-20) ± 3O, ± 8 1 Millimeter | |||||||
Widerstandskraft (300K) | > 1 x 106 Ω·cm für das Halb-Isolieren (F.E.-lackiert; GaN-FS-C-SI-C50) | |||||||
TTV | ≤ 15 μm | |||||||
BOGEN | ≤ 20 μm | ≤ 40 μm | ||||||
GA-Gesichtsoberflächenrauigkeit |
< 0=""> oder < 0=""> |
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N-Gesichtsoberflächenrauigkeit |
0,5 μm ~1,5 Wahl: 1~3 Nanometer (feiner Boden); < 0=""> |
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Paket | Verpackt in einem Cleanroom im einzelnen Oblatenbehälter | |||||||
Verwendbarer Bereich | > 90% | >80% | >70% | |||||
Versetzungsdichte | <9>cm2 x105 | <3x10>6 cm2 | <9>5 cm2 | <3>cm2 x106 | <3x10>6 cm2 | |||
Orientierung: C-Fläche (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse |
0,35 ± 0,15O (3 Punkte) |
0,35 ± 0,15O (3 Punkte) |
0,35 ± 0,15O (3 Punkte) |
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Makrodefektdichte (Loch) | 0 cm2 | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | |||||
Maximale Größe von Makrodefekten | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> |
* nationale Standards von China (GB/T32282-2015)
Über uns
Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.
FAQ
Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <>
Zahlung >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Balance vor Versand.
Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)
Telefon: +8613372109561