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Den Geräten weitgehend verwendet zu werden GaN Based Heterostructures Is Expected, in des Inter-Vor-Band-(ISB)

2022-08-11 12:44:31

Vor kurzem veröffentlichten Caroline B Lim und ihr Team ein Papier in der japanischen Zeitschrift der angewandten Physik, in der das apolare m-orientierte GaN: Heterostrukturen Si/Al (GA) N, die auf freistehendem GaN für Intersubbandoptoelektronik in den kurzwelligen, mittel- und weit-Infrarotstreck...

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über

GaN Epitaxial Wafer: Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung; F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte; 2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate: Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um; 4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm; Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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