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Produktdetails:
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| Produktname: | GaAs-Si-Wafer | Wachstums-Methode: | VGF |
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| Verhaltenstyp: | S-C-N | Orientierungswinkel: | 0° |
| IF-Ausrichtung: | EJ[0-11]±0,5° | IF-Länge (mm): | 7±1 |
| Durchmesser (mm): | 50,8 ± 0,2 | CC(/cc): | 0.4E18~1E18 |
2 Zoll GaAs (100) Si-dotierte Substrate
Überblick
GaAs wird oft als Substratmaterial für das epitaxiale Wachstum anderer III-V-Halbleiter verwendet, einschließlich Indium-Gallium-Arsenid, Aluminium-Gallium-Arsenid und andere.
Galliumarsenid eines GaAs-Wafers hat die Eigenschaft, aus Elektrizität direkt Laserlicht zu erzeugen.Es gibt zwei Arten von GaAs-Wafern;Polykristallin und Einkristall.Diese Wafer werden in der Mikroelektronik- und Optoelektronik-Produktion verwendet, um LEDs, Mikrowellenschaltkreise und LD herzustellen.
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GaAs-Si-Wafer |
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Wachstumsmethode |
VGF |
| Verhaltenstyp | SCN |
| Dotierstoff | GaAs-Si |
| Orientierung | (100) 15° ± 0,5° Aus Richtung <111>A |
| Orientierungswinkel | 0° |
| OF Orientierung | EJ[0-1-1]±0,5° |
| OF Länge (mm) | 17±1 |
| IF-Ausrichtung | EJ[0-11]±0,5° |
| IF-Länge (mm) | 7±1 |
| Durchmesser (mm) | 50,8 ± 0,2 |
| CC(/cc) | 0.4E18~1E18 |
| Widerstand (ohm.cm) | N / A |
| Mobilität (cm2/vs) | ≥1000 |
| EPD(/cm2) | ≤5000 |
| Dicke (um) | 350±20 |
| TTV (ähm) | <10 |
| TTR (ähm) | <10 |
| Schleife (ähm) | <15 |
| Warp (ähm) | <15 |
| Oberfläche | Seite 1: Poliert Seite 2: Geätzt |
| Verpackung | Kassette oder Single |
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.
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