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Produktdetails:
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| Stärke: | 0.6~0.8mm | Produktname: | Einzelner Crystal Substrate |
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| Orientierung: | (101) | Polierte Oberfläche: | Simplex poliert |
| FWHM: | <350arcsec> | Ra: | ≤0.5nm |
10 x 10 mm2 (010) Sn-dotiertes freistehendes Ga2O3-Einkristallsubstrat Produktklasse Einzelpolierung Dicke 0,6 ~ 0,8 mm FWHM < 350 Bogensekunden, Ra ≤ 0,5 nm Widerstand 1,53 E + 18 Ω / cm-3 Optoelektronische Geräte, Isolierschichten aus Halbleitermaterialien und UV-Filter
Während siliziumbasierte Bauelemente relativ effiziente Bauelemente herstellen konnten, verleihen die verbesserten Eigenschaften von Galliumnitrid GaN-Halbleitern den Vorteil, dass weitaus weniger Energie durch Wärme verloren geht.Die breite Bandlücke ermöglicht es GaN-Geräten, viel höhere Temperaturen auszuhalten als Silizium, was Ihren Lieblingsgeräten insgesamt eine höhere Energieeffizienz ermöglicht.
| Galliumnitridsubstrat – Forschungsebene | ||
| Abmessungen | 10*15mm | 10*10mm |
| Dicke | 0,6 ~ 0,8 mm | |
| Orientierung | (010) | |
| Doping | Sn | |
| Polierte Oberfläche | Einseitig poliert | |
| Widerstand/Nd-Na | 2.00E+17 | 1.53E+18 |
| FWHM | <350 arcsec | |
| Ra | ≤0,5nm | |
| Paket | Verpackt in einer Reinraumumgebung der Klasse 100 unter Stickstoffatmosphäre | |
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.
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