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Qualität Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung Fabrik

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

GaN Epitaxial Wafer
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Qualität 375 um GaN-Epitaxialwafer, freistehende U-GaN-SI-GaN-Substrate Fabrik

375 um GaN-Epitaxialwafer, freistehende U-GaN-SI-GaN-Substrate

GaN Epitaxial Wafer
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Qualität Fläche des Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer-325um 375um C Fabrik

Fläche des Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer-325um 375um C

GaN Epitaxial Wafer
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Qualität SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um Fabrik

SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um

GaN Epitaxial Wafer
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Qualität GaN Epitaxial Wafer & Sic Epitaxial- Oblate Fabrik

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Qualität F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte Fabrik

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

Maße: ± 50,8 1 Millimeter

Stärke: 350 ±25µm

Bogen: - 10µm ≤ BOGEN ≤ 10µm

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Qualität Fläche des Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer-325um 375um C Fabrik

Fläche des Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer-325um 375um C

Produktname: Einzelnes Kristallsubstrat GaN

Maße: ± 50,8 1 Millimeter

Stärke: 350 ±25µm

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Qualität GaN-Einkristall-Galliumnitrid-Wafer SI-Typ Fabrik

GaN-Einkristall-Galliumnitrid-Wafer SI-Typ

Maße: 5 x 10mm ²

Produktname: freistehender GaN Substrates

Stärke: 350 ±25µm

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Qualität M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um Fabrik

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um

Produktname: GaN-Substrat

Maße: 5 x 10,5 mm²

Stärke: 350 ±25µm

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Qualität 5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxiewafer Undotiertes Si Typ Gan Einkristallsubstrat Fabrik

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxiewafer Undotiertes Si Typ Gan Einkristallsubstrat

Produktname: Freistehender GaN Single Crystal Substrate

Maße: 5 x10mm-²

Stärke: 350 ±25µm

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Qualität Fläche 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse 0,35 ±0.15° Fabrik

Fläche 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse 0,35 ±0.15°

Maße: 10 x 10,5 mm²

Stärke: 350 ±25µm

Orientierung: C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse 0,35 ±0,15°

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Qualität 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC-Epitaxialwafer 4H-Kristallform Fabrik

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC-Epitaxialwafer 4H-Kristallform

Durchmesser: 150.0mm +0mm/-0.2mm

Produktname: Sic Epitaxial- Oblate

Oberflächenorientierung: Aus-Achse: ° 4°toward <11-20>±0.5

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Qualität Polytyp Keine Zulässig SiC-Epitaxie-Wafer P-MOS P-SBD D-Qualität Fabrik

Polytyp Keine Zulässig SiC-Epitaxie-Wafer P-MOS P-SBD D-Qualität

Produktname: Sic Epitaxial- Oblate

Flache hauptsächlichlänge: 47.5mm ± 1.5mm

Durchmesser: 150.0mm +0mm/-0.2mm

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Qualität 4H sic Epitaxial- Oblate 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm cm ≤4000/cm Fabrik

4H sic Epitaxial- Oblate 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm cm ≤4000/cm

Produktname: Sic Epitaxial- Oblate

Durchmesser: 150.0mm +0mm/-0.2mm

Oberflächenorientierung: Aus-Achse: ° 4°toward <11-20>±0.5

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Qualität 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC-Epitaxialwafer 47,5 mm ± 1,5 mm Fabrik

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC-Epitaxialwafer 47,5 mm ± 1,5 mm

Produktname: Sic Epitaxial- Oblate

Oberflächenorientierung: Aus-Achse: ° 4°toward <11-20>±0.5

Flache hauptsächlichlänge: 47.5mm ± 1.5mm

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Qualität ordnen sic Epitaxial- Oblate 4H P-MOS 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm 47,5 Millimeter ± 1,5 Millimeter Fabrik

ordnen sic Epitaxial- Oblate 4H P-MOS 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm 47,5 Millimeter ± 1,5 Millimeter

Produktname: Sic Epitaxial- Oblate

Durchmesser: 150.0mm +0mm/-0.2mm

Oberflächenorientierung: Aus-Achse: ° 4°toward <11-20>±0.5

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Qualität 150.0mm +0mm/-0.2mm sic Epitaxial- Oblate keine Sekundärebene 3mm Fabrik

150.0mm +0mm/-0.2mm sic Epitaxial- Oblate keine Sekundärebene 3mm

Produktname: Sic Epitaxial- Oblate

Durchmesser: 150.0mm +0mm/-0.2mm

Oberflächenorientierung: Aus-Achse: ° 4°toward <11-20>±0.5

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47,5 Millimeter ± Epitaxial- Oblate 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm paralleles to<11-20>±1° 1,5 Millimeter sic
6 Zoll 4H SiC N-Substrat 47,5 mm Keine sekundäre Ebene
1um Substrat-einfachen oder doppelten der Seite zu des Aluminium-Nitrid-5um polierte
2-Zoll-Dickfilm-Aluminiumnitrid-Wafer AIN auf Saphir-Wafer-Al-Fläche
Halbisolierender Aluminiumnitrid-Wafer AIN auf Saphir-Wafer-Oberfläche
Halb isolierender AIN Sapphire Wafer Sapphire Single oder doppelte Seite polierten
AIN On Aluminum Nitride Wafer-Rauheit Ra<1.5nm
Dickschicht 2um 3um AIN auf Saphirwafer 2 Zoll halbisolierend
2-Zoll-Aluminiumnitrid-Wafer, einseitig oder doppelseitig poliert
Ra 0,3 nm Ga2O3 Einkristall-Epitaxialwafer 2 Zoll 4 Zoll
Sn-dotiertes Ga2O3-Wafer-Einkristallsubstrat 10x10mm2
China Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
WHO SIND WIR
Einleitung
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. ist ein Unternehmen, das sich auf Materialien, Ausrüstung, Test- und Analysedienste sowie technische Beratung im Zusammenhang mit der Breitbandhalbleitertechnologie spezialisiert hat.Wir wurden 2020 gegründet und sind eine hundertprozentige Tochtergesellschaft von Suzhou Nanowin Technology Co., Ltd. Unser Team verfügt über eine tiefgreifende technologische Akkumulation und reiche Kundenressourcen in der Halbleiterindustrie und ist bestrebt, der ...
QC-Profil
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. ist ein Hightech-Unternehmen, das sich der Entwicklung von Technologien zur Herstellung hochwertiger Nitrid-Halbleitermaterialien widmet.Der Hauptvorteil von GaNova ist seine konkurrenzlose Materialkompetenz und das Unternehmen besitzt wichtige Patente für GaN-Substrate und Wachstumstechnologien.GaNova bietet standardmäßige und kundenspezifische freistehende GaN-Substrate und GaN/Saphir-Schablonen mit besonders niedrigen Versetzungsdichten, die f...
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP
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