CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. sitemap

GaN Epitaxial Wafer

• Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung
• F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte
• 2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate
• Fläche des Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer-325um 375um C

Sic Epitaxial- Oblate

• Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um
• 6-Zoll-N-Typ-Wafer P-MOS-Klasse 4H-SiC-Substrat 350,0 ± 25,0 um
• 4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm
• P Niveau SI Art 6inch 4H Substrat 150mm sic halb isolierend

GaAs-Epi-Wafer

• 2-Zoll-GaAs-Epi-Wafer GaAs Undotierte Substrate VGF
• S-C-N leiten 2 Zoll GaAs undotierte Substrate mit hoher Elektronenmobilität
• Undoped Oblate 0.4E18 GaAs Epi Substrate 2inch GaAs zu 1E18
• Si-Dopant VGF GaAs Undoped Substrat-2inch GaAs

CVD-Diamantsubstrate

• CVD-Diamantsubstrate in elektronischer Qualität Dielektrizitätskonstante 5.5
• XRD
• 3 X 3mm2 Stickstoffgehalt CVD Diamond Substrates < 100ppb für Kühlkörper
• N-Gehalt

Schnelles thermisches Vergütungssystem

• RTP-SA-8 Aufheizungssystem für schnelle thermische Verarbeitung
• 150mm schnelles thermisches Vergütungssystem mit drei Satz-Prozessgasen

Tester für Hall-Effekt-Sensoren

• Hall Coefficient Hall Effect Sensor-Prüfvorrichtungs-Mobilitäts-Widerstandskraft-Maß
• Ladungsträgerdichte-Hall Effect Sensor Tester Semiconductor-Industrie
• Halbleiter-Material-Hall Effect Sensor Tester Carrier-Konzentrationsmessung

Aluminium-Nitrid-Oblate

• 1 '' AlN-Aluminiumnitrid-Wafer 400 um S / P / R-Grad chemisches Polieren
• 25.4mm 1inch AlN einzelner Kristall 400um 2H Crystal Form
• 1inch AlN einzelner Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um
• C-Ebene AIN auf Saphir-Wafer, einseitig oder beidseitig poliert

Laserdiode-Chip

• Schwellenstrom 0,5 A Laserdiodenchip Laserdrucksteilheit Wirkungsgrad 1,0 W/A
• 915 nm 10 W COS-Diodenlaserchip im Submount-Design
• Chip Printing Surface Mount Standard-Paket der Laserdiode-915nm
• Emittergröße 94 µm Diodenlaserchip auf Submount-Design Schwellenstrom 0,5 A

Silikon-Karbid-Kristall

• Flacher Silikon-Karbid-hauptsächlichkristall 4" der Längen-32.5mm p-Grad 100.0mm
• 4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4" p-Grad-Si-Gesicht
• 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Siliziumkarbidkristall Typ N
• 100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad 18.0mm

Ga2O3-Wafer

• Oblate einzelner Crystal Substrate Thickness FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm bis 0.8mm
• Einseitig poliertes Ga2O3-Substrat Einkristalldicke 0,6 mm 0,8 mm
• 10x10mm Ga2O3 Oblate 10x15mm einzelner Crystal Substrate
• Doping Halbleiter-einzelnes Crystal Gallium Oxide Substrates UID

Siliziumscheibe

• 0,001–100 Ohm-cm Siliziumwafer P-Typ-Bor-Dotierstoff
• Getrennte Gerät-Si-Substrate P/E P/P E/Z.B. /G Oberflächen beendet
• Haupt- 2" Siliziumscheibe Standard-<10 μm maximales Capabilities<5um
• Mikroelektronisches 279-um-Silizium-Epitaxialwafer-Primärsubstrat

Sapphire Wafer

• 50mm Sapphire Wafer R9 Spiegel polierte EPI bereite Art des Oblaten-Rand-R
• Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
• Ein spiegelpolierter Saphir-Wafer mit planer Oberflächenausrichtung, EPI-fähig
• Hochreiner Al2O3 50 mm Saphir-Substratwafer Dicke 430 μm

Kopierte Sapphire Substrates

• Flacher Kantenwinkel 16 mm gemusterte Vorderseite des Saphirsubstrats
• Kopierte Sapphire Crystal Wafer 2inch Sapphire Substrate
• 50,80 mm gemusterte Saphirsubstrate 430 um A-Ebene
• Zurück Laserherstellung von gemustertem PSS-Saphir-Substrat TTV 5um

oblaten-Halter

• 6-Zoll--Oblatenhalter zum Reinigen von Blumenkörben und Griffen

Wafer-Dicing-Maschine

• 0.1mm/s zur würfelnden Achse der Oblaten-600mm/s der Maschinen-X, die Strecke 260mm schneidet
• Silizium-Wafer-Würfelmaschine 260 mm automatische Würfelsäge
• Automatische Waferwürfelmaschine 8 Zoll 250 mm × 250 mm 300 mm
• 8-Zoll-Waferwürfelmaschine X-Achsen-Schneidbereich 260 mm 1,8 KW 2,2 KW