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Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
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Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung
2inch GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing
Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

Großes Bild :  Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou China
Markenname: GaNova
Zertifizierung: UKAS/ISO9001:2015
Modellnummer: JDCD01-001-021
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 6 Stück oder Einzelwaf
Lieferzeit: 3-4 Wochentage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000pcs/Month

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

Beschreibung
Maße: ± 50,8 1 Millimeter Produktname: freistehender GaN Substrates
Stärke: 350 ±25µm Orientierung: C-Fläche (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse
TTV: ≤ 15 μm Bogen: ≤ 20 μm
Makrodefekt-Dichte: ² 0cm⁻
Hervorheben:

Gesicht GaN Epitaxial Wafers C

,

F.E. lackierte einzelnes Kristallsubstrat

,

2inch GaN Epitaxial Wafer

C-Gesicht 2inch F.E.-lackierte Si-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft > 106 Ω·cm Rf-Geräte

Die Wachstumseigenschaften von F.E.-lackierten Epitaxial- Schichten GaN auf (von 001) Substraten sic halb-isolieren wurden unter Verwendung des metalorganic chemischen Bedampfens für hohe Durchbruchsspannungs-Gerätanwendungen studiert. Eine glatte F.E.-lackierte GaN-Epilayeroberfläche kann verwirklicht werden, indem man den ferrocene Fluss ändert, während höhere F.E.-Konzentrationen im GaN-Epilayer die Oberflächenmorphologie beeinflussen.

2 Zoll freistehende Si--GaNsubstrate
Ausgezeichnetes Niveau (S) Produktionsebene (a) Forschungsniveau (b) Blindes Niveau (c)

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung 0

Anmerkung:

(1) verwendbarer Bereich: Rand und Makrodefektausschluß

(2) 3 Punkte: das miscut angelt von den Positionen (2, 4, 5) sind 0,35 ± 0,15O

S-1 S-2 A-1 A-2
Maß ± 50,8 1 Millimeter
Stärke 350 ± 25 μm
Orientierungsebene (1-100) ± 0,5O, ± 16 1 Millimeter
Sekundärorientierungsebene (11-20) ± 3O, ± 8 1 Millimeter
Widerstandskraft (300K) > 1 x 106 Ω·cm für das Halb-Isolieren (F.E.-lackiert; GaN-FS-C-SI-C50)
TTV ≤ 15 μm
BOGEN ≤ 20 μm ≤ 40 μm
GA-Gesichtsoberflächenrauigkeit

< 0="">

oder < 0="">

N-Gesichtsoberflächenrauigkeit

0,5 μm ~1,5

Wahl: 1~3 Nanometer (feiner Boden); < 0="">

Paket Verpackt in einem Cleanroom im einzelnen Oblatenbehälter
Verwendbarer Bereich > 90% >80% >70%
Versetzungsdichte <9>cm2 x105 <3x10>6 cm2 <9>5 cm2 <3>cm2 x106 <3x10>6 cm2
Orientierung: C-Fläche (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse

0,35 ± 0,15O

(3 Punkte)

0,35 ± 0,15O

(3 Punkte)

0,35 ± 0,15O

(3 Punkte)

Makrodefektdichte (Loch) 0 cm2 < 0="">-2 < 1="" cm="">-2
Maximale Größe von Makrodefekten < 700=""> < 2000=""> < 4000="">

* nationale Standards von China (GB/T32282-2015)

Über uns

Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.

FAQ

Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <> Zahlung >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Balance vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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