Produktdetails:
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Maße: | ± 50,8 1 Millimeter | Produktname: | freistehender GaN Substrates |
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Stärke: | 350 ±25µm | Orientierung: | C-Fläche (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse |
TTV: | ≤ 15 μm | Bogen: | ≤ 20 μm |
Makrodefekt-Dichte: | ² 0cm⁻ | ||
Hervorheben: | Gesicht GaN Epitaxial Wafers C,F.E. lackierte einzelnes Kristallsubstrat,2inch GaN Epitaxial Wafer |
C-Gesicht 2inch F.E.-lackierte Si-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft > 106 Ω·cm Rf-Geräte
Die Wachstumseigenschaften von F.E.-lackierten Epitaxial- Schichten GaN auf (von 001) Substraten sic halb-isolieren wurden unter Verwendung des metalorganic chemischen Bedampfens für hohe Durchbruchsspannungs-Gerätanwendungen studiert. Eine glatte F.E.-lackierte GaN-Epilayeroberfläche kann verwirklicht werden, indem man den ferrocene Fluss ändert, während höhere F.E.-Konzentrationen im GaN-Epilayer die Oberflächenmorphologie beeinflussen.
2 Zoll freistehende Si--GaNsubstrate | ||||||||
Ausgezeichnetes Niveau (S) | Produktionsebene (a) | Forschungsniveau (b) | Blindes Niveau (c) |
Anmerkung: (1) verwendbarer Bereich: Rand und Makrodefektausschluß (2) 3 Punkte: das miscut angelt von den Positionen (2, 4, 5) sind 0,35 ± 0,15O |
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S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | |||||
Maß | ± 50,8 1 Millimeter | |||||||
Stärke | 350 ± 25 μm | |||||||
Orientierungsebene | (1-100) ± 0,5O, ± 16 1 Millimeter | |||||||
Sekundärorientierungsebene | (11-20) ± 3O, ± 8 1 Millimeter | |||||||
Widerstandskraft (300K) | > 1 x 106 Ω·cm für das Halb-Isolieren (F.E.-lackiert; GaN-FS-C-SI-C50) | |||||||
TTV | ≤ 15 μm | |||||||
BOGEN | ≤ 20 μm | ≤ 40 μm | ||||||
GA-Gesichtsoberflächenrauigkeit |
< 0=""> oder < 0=""> |
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N-Gesichtsoberflächenrauigkeit |
0,5 μm ~1,5 Wahl: 1~3 Nanometer (feiner Boden); < 0=""> |
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Paket | Verpackt in einem Cleanroom im einzelnen Oblatenbehälter | |||||||
Verwendbarer Bereich | > 90% | >80% | >70% | |||||
Versetzungsdichte | <9>cm2 x105 | <3x10>6 cm2 | <9>5 cm2 | <3>cm2 x106 | <3x10>6 cm2 | |||
Orientierung: C-Fläche (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse |
0,35 ± 0,15O (3 Punkte) |
0,35 ± 0,15O (3 Punkte) |
0,35 ± 0,15O (3 Punkte) |
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Makrodefektdichte (Loch) | 0 cm2 | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | |||||
Maximale Größe von Makrodefekten | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> |
* nationale Standards von China (GB/T32282-2015)
Über uns
Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.
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Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
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Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <>
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Telefon: +8613372109561