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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Produkte online

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GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial- Oblate
(39)

GaAs-Epi-Wafer
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CVD-Diamantsubstrate
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Schnelles thermisches Vergütungssystem
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Tester für Hall-Effekt-Sensoren
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Aluminium-Nitrid-Oblate
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GaN Epitaxial Wafer (65)

Guter Preis Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung Online

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

Guter Preis F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte Online

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

Guter Preis 2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate Online

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Guter Preis Fläche des Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer-325um 375um C Online

Fläche des Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer-325um 375um C

Sic Epitaxial- Oblate (39)

Guter Preis Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um Online

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Guter Preis 6-Zoll-N-Typ-Wafer P-MOS-Klasse 4H-SiC-Substrat 350,0 ± 25,0 um Online

6-Zoll-N-Typ-Wafer P-MOS-Klasse 4H-SiC-Substrat 350,0 ± 25,0 um

Guter Preis 4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm Online

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Guter Preis P Niveau SI Art 6inch 4H Substrat 150mm sic halb isolierend Online

P Niveau SI Art 6inch 4H Substrat 150mm sic halb isolierend

GaAs-Epi-Wafer (15)

Guter Preis 2-Zoll-GaAs-Epi-Wafer GaAs Undotierte Substrate VGF Online

2-Zoll-GaAs-Epi-Wafer GaAs Undotierte Substrate VGF

Guter Preis S-C-N leiten 2 Zoll GaAs undotierte Substrate mit hoher Elektronenmobilität Online

S-C-N leiten 2 Zoll GaAs undotierte Substrate mit hoher Elektronenmobilität

Guter Preis Undoped Oblate 0.4E18 GaAs Epi Substrate 2inch GaAs zu 1E18 Online

Undoped Oblate 0.4E18 GaAs Epi Substrate 2inch GaAs zu 1E18

Guter Preis Si-Dopant VGF GaAs Undoped Substrat-2inch GaAs Online

Si-Dopant VGF GaAs Undoped Substrat-2inch GaAs

CVD-Diamantsubstrate (15)

Guter Preis CVD-Diamantsubstrate in elektronischer Qualität Dielektrizitätskonstante 5.5 Online

CVD-Diamantsubstrate in elektronischer Qualität Dielektrizitätskonstante 5.5

Guter Preis XRD Online

XRD

Guter Preis 3 X 3mm2 Stickstoffgehalt CVD Diamond Substrates < 100ppb für Kühlkörper Online

3 X 3mm2 Stickstoffgehalt CVD Diamond Substrates < 100ppb für Kühlkörper

Guter Preis N-Gehalt Online

N-Gehalt

Schnelles thermisches Vergütungssystem (2)

Guter Preis RTP-SA-8 Aufheizungssystem für schnelle thermische Verarbeitung Online

RTP-SA-8 Aufheizungssystem für schnelle thermische Verarbeitung

Guter Preis 150mm schnelles thermisches Vergütungssystem mit drei Satz-Prozessgasen Online

150mm schnelles thermisches Vergütungssystem mit drei Satz-Prozessgasen

Tester für Hall-Effekt-Sensoren (3)

Guter Preis Hall Coefficient Hall Effect Sensor-Prüfvorrichtungs-Mobilitäts-Widerstandskraft-Maß Online

Hall Coefficient Hall Effect Sensor-Prüfvorrichtungs-Mobilitäts-Widerstandskraft-Maß

Guter Preis Ladungsträgerdichte-Hall Effect Sensor Tester Semiconductor-Industrie Online

Ladungsträgerdichte-Hall Effect Sensor Tester Semiconductor-Industrie

Guter Preis Halbleiter-Material-Hall Effect Sensor Tester Carrier-Konzentrationsmessung Online

Halbleiter-Material-Hall Effect Sensor Tester Carrier-Konzentrationsmessung

Aluminium-Nitrid-Oblate (21)

Guter Preis 1 '' AlN-Aluminiumnitrid-Wafer 400 um S / P / R-Grad chemisches Polieren Online

1 '' AlN-Aluminiumnitrid-Wafer 400 um S / P / R-Grad chemisches Polieren

Guter Preis 25.4mm 1inch AlN einzelner Kristall 400um 2H Crystal Form Online

25.4mm 1inch AlN einzelner Kristall 400um 2H Crystal Form

Guter Preis 1inch AlN einzelner Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um Online

1inch AlN einzelner Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um

Guter Preis C-Ebene AIN auf Saphir-Wafer, einseitig oder beidseitig poliert Online

C-Ebene AIN auf Saphir-Wafer, einseitig oder beidseitig poliert

Laserdiode-Chip (10)

Guter Preis Schwellenstrom 0,5 A Laserdiodenchip Laserdrucksteilheit Wirkungsgrad 1,0 W/A Online

Schwellenstrom 0,5 A Laserdiodenchip Laserdrucksteilheit Wirkungsgrad 1,0 W/A

Guter Preis 915 nm 10 W COS-Diodenlaserchip im Submount-Design Online

915 nm 10 W COS-Diodenlaserchip im Submount-Design

Guter Preis Chip Printing Surface Mount Standard-Paket der Laserdiode-915nm Online

Chip Printing Surface Mount Standard-Paket der Laserdiode-915nm

Guter Preis Emittergröße 94 µm Diodenlaserchip auf Submount-Design Schwellenstrom 0,5 A Online

Emittergröße 94 µm Diodenlaserchip auf Submount-Design Schwellenstrom 0,5 A

Silikon-Karbid-Kristall (12)

Guter Preis Flacher Silikon-Karbid-hauptsächlichkristall 4" der Längen-32.5mm p-Grad 100.0mm Online

Flacher Silikon-Karbid-hauptsächlichkristall 4" der Längen-32.5mm p-Grad 100.0mm

Guter Preis 4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4" p-Grad-Si-Gesicht Online

4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4" p-Grad-Si-Gesicht

Guter Preis 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Siliziumkarbidkristall Typ N Online

0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Siliziumkarbidkristall Typ N

Guter Preis 100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad 18.0mm Online

100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad 18.0mm

Ga2O3-Wafer (13)

Guter Preis Oblate einzelner Crystal Substrate Thickness FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm bis 0.8mm Online

Oblate einzelner Crystal Substrate Thickness FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm bis 0.8mm

Guter Preis Einseitig poliertes Ga2O3-Substrat Einkristalldicke 0,6 mm 0,8 mm Online

Einseitig poliertes Ga2O3-Substrat Einkristalldicke 0,6 mm 0,8 mm

Guter Preis 10x10mm Ga2O3 Oblate 10x15mm einzelner Crystal Substrate Online

10x10mm Ga2O3 Oblate 10x15mm einzelner Crystal Substrate

Guter Preis Doping Halbleiter-einzelnes Crystal Gallium Oxide Substrates UID Online

Doping Halbleiter-einzelnes Crystal Gallium Oxide Substrates UID

Siliziumscheibe (26)

Guter Preis 0,001–100 Ohm-cm Siliziumwafer P-Typ-Bor-Dotierstoff Online

0,001–100 Ohm-cm Siliziumwafer P-Typ-Bor-Dotierstoff

Guter Preis Getrennte Gerät-Si-Substrate P/E P/P E/Z.B. /G Oberflächen beendet Online

Getrennte Gerät-Si-Substrate P/E P/P E/Z.B. /G Oberflächen beendet

Guter Preis Haupt- 2" Siliziumscheibe Standard-<10 μm maximales Capabilities<5um Online

Haupt- 2" Siliziumscheibe Standard-<10 μm maximales Capabilities<5um

Guter Preis Mikroelektronisches 279-um-Silizium-Epitaxialwafer-Primärsubstrat Online

Mikroelektronisches 279-um-Silizium-Epitaxialwafer-Primärsubstrat

Sapphire Wafer (19)

Guter Preis 50mm Sapphire Wafer R9 Spiegel polierte EPI bereite Art des Oblaten-Rand-R Online

50mm Sapphire Wafer R9 Spiegel polierte EPI bereite Art des Oblaten-Rand-R

Guter Preis Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2 Online

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2

Guter Preis Ein spiegelpolierter Saphir-Wafer mit planer Oberflächenausrichtung, EPI-fähig Online

Ein spiegelpolierter Saphir-Wafer mit planer Oberflächenausrichtung, EPI-fähig

Guter Preis Hochreiner Al2O3 50 mm Saphir-Substratwafer Dicke 430 μm Online

Hochreiner Al2O3 50 mm Saphir-Substratwafer Dicke 430 μm

Kopierte Sapphire Substrates (10)

Guter Preis Flacher Kantenwinkel 16 mm gemusterte Vorderseite des Saphirsubstrats Online

Flacher Kantenwinkel 16 mm gemusterte Vorderseite des Saphirsubstrats

Guter Preis Kopierte Sapphire Crystal Wafer 2inch Sapphire Substrate Online

Kopierte Sapphire Crystal Wafer 2inch Sapphire Substrate

Guter Preis 50,80 mm gemusterte Saphirsubstrate 430 um A-Ebene Online

50,80 mm gemusterte Saphirsubstrate 430 um A-Ebene

Guter Preis Zurück Laserherstellung von gemustertem PSS-Saphir-Substrat TTV 5um Online

Zurück Laserherstellung von gemustertem PSS-Saphir-Substrat TTV 5um

oblaten-Halter (1)

Guter Preis 6-Zoll--Oblatenhalter zum Reinigen von Blumenkörben und Griffen Online

6-Zoll--Oblatenhalter zum Reinigen von Blumenkörben und Griffen

Wafer-Dicing-Maschine (5)

Guter Preis 0.1mm/s zur würfelnden Achse der Oblaten-600mm/s der Maschinen-X, die Strecke 260mm schneidet Online

0.1mm/s zur würfelnden Achse der Oblaten-600mm/s der Maschinen-X, die Strecke 260mm schneidet

Guter Preis Silizium-Wafer-Würfelmaschine 260 mm automatische Würfelsäge Online

Silizium-Wafer-Würfelmaschine 260 mm automatische Würfelsäge

Guter Preis Automatische Waferwürfelmaschine 8 Zoll 250 mm × 250 mm 300 mm Online

Automatische Waferwürfelmaschine 8 Zoll 250 mm × 250 mm 300 mm

Guter Preis 8-Zoll-Waferwürfelmaschine X-Achsen-Schneidbereich 260 mm 1,8 KW 2,2 KW Online

8-Zoll-Waferwürfelmaschine X-Achsen-Schneidbereich 260 mm 1,8 KW 2,2 KW

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GaN Epitaxial Wafer: Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung; F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte; 2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate: Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um; 4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm; Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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