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Siliziumscheibe

CHINA Siliziumscheibe

0,001–100 Ohm-cm Siliziumwafer P-Typ-Bor-Dotierstoff

Durchmesser:2"

Grad:Haupt

Wachstums-Methode:CZ
Getrennte Gerät-Si-Substrate P/E P/P E/Z.B. /G Oberflächen beendet

Wachstums-Methode:CZ

Durchmesser:2"

Grad:Haupt
Haupt- 2" Siliziumscheibe Standard-<10 μm maximales Capabilities<5um

Durchmesser:2"

Grad:Haupt

Wachstums-Methode:CZ
Mikroelektronisches 279-um-Silizium-Epitaxialwafer-Primärsubstrat

Grad:Haupt

Wachstums-Methode:CZ

Art/Dopant:P-Art/Bor, n-Art/Phos, N Type/As, N Type/Sb
N-Art Phos-Siliziumscheibe 3" Stärke 279um 380um 525um 625um

Art/Dopant:P-Art/Bor, n-Art/Phos, N Type/As, N Type/Sb

Dicke (μm):279

Dickentoleranz:Standard-± 25μm, maximales Fähigkeiten ± 5μm
4" 5" 6" Art der Si-Oblaten-P/Art des Bor-N/als n-Art/-sb

Durchmesser:2"

Grad:Haupt

Wachstums-Methode:CZ
Wachstums-Methode CZ-Siliziumscheibe 5" Orientierung <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>

Durchmesser:2"

Grad:Haupt

Wachstums-Methode:CZ
Halbleiterbauelemente 2-Zoll-Siliziumsubstrat-Wafer 8" 12"

Durchmesser:2"

Grad:Haupt

Wachstums-Methode:CZ
N-Art Art des Sb-N als Siliziumscheibe 6 Zoll 8 Zoll

Wachstums-Methode:CZ

Orientierung:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Art/Dopant:P-Art/Bor, n-Art/Phos, N Type/As, N Type/Sb
CZ-Silikon-Halbleiterwafer 380um 525um 625um

Orientierung:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Dicke (μm):279

Dickentoleranz:Standard-± 25μm, maximales Fähigkeiten ± 5μm
Art Art Phos der 12 Zoll-Siliziumscheibe-P des Bor-N

Durchmesser:12"

Grad:Haupt

Wachstums-Methode:CZ
Silikon8-zoll- wafer fertiges P/E OBERFLÄCHENP/P E/Z.B. /G

Durchmesser:8"

Grad:Haupt

Wachstums-Methode:CZ

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Wachstums-Methode CZ-Siliziumscheibe 5" Orientierung <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>

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Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP