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Sapphire Wafer

CHINA Sapphire Wafer

50mm Sapphire Wafer R9 Spiegel polierte EPI bereite Art des Oblaten-Rand-R

Durchmesser:50,8 ±0.10

Oberflächenorientierung:Ein-Fläche (11-20)

Laser-Kennzeichen:Wie Kunde erfordert
Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2

Oberflächenorientierung:Ein-Fläche (11-20)

Material:Hoher Reinheitsgrad Al ₂ O ₃ (>99.995%)

Stärke:430±15μm
Ein spiegelpolierter Saphir-Wafer mit planer Oberflächenausrichtung, EPI-fähig

Oberflächenorientierung:Ein-Fläche (11-20)

Material:Hoher Reinheitsgrad Al ₂ O ₃ (>99.995%)

Stärke:430 ±15μm
Hochreiner Al2O3 50 mm Saphir-Substratwafer Dicke 430 μm

Oberflächenorientierung:Ein-Fläche (11-20)

Material:Hoher Reinheitsgrad Al ₂ O ₃ (>99.995%)

Stärke:430±15μm
Ein planer Saphir-Wafer, hochglanzpoliert, EPI-bereit

Produktname:Sapphire Substrate Wafer

Oberflächenorientierung:Ein-Fläche (11-20)

Material:Hoher Reinheitsgrad Al ₂ O ₃ (>99.995%)
Bereite Sapphire Substrate Wafer Edge R Art Spiegel EPI polierte

Oberflächenorientierung:Ein-Fläche (11-20)

Material:Hoher Reinheitsgrad Al2O3 (>99.995%)

Stärke:430 ±10μm
Kristallorientierung C/M0.2 Saphir-Wafer Dicke 440 μm

Oberflächenorientierung:Ein-Fläche (11-20)

Material:Hoher Reinheitsgrad Al ₂ O ₃ (>99.995%)

Stärke:430 ±10μm
Flache Sapphire Substrate Wafer Thk 440um der Länge (Millimeter) 16 LED-Chip

Oberflächenorientierung:Ein-Fläche (11-20)

Produktname:50mm Sapphire Substrate Wafer

Material:Hoher Reinheitsgrad Al ₂ O ₃ (>99.995%)
Hochreiner Al2O3＞99,995 % Saphir-Wafer, hochglanzpoliert, EPI-fähig

Oberflächenorientierung:Ein-Fläche (11-20)

Material:Hoher Reinheitsgrad Al ₂ O ₃ (>99.995%)

Stärke:430 ±15μm
Crystal Orientation C/M0.2 50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 420um

Oberflächenorientierung:Ein-Fläche (11-20)

Material:Hoher Reinheitsgrad Al ₂ O ₃ (>99.995%)

Stärke:430 ±15μm
R-Typ 50 mm Saphir-Wafer Dicke 420 μm Länge (mm) 16 LED-Chip

Produktname:Sapphire Substrate Wafer

Material:Hoher Reinheitsgrad Al ₂ O ₃ (>99.995%)

Oblatenrand:R-artig
Optoelektronik Polieren von Saphirkristallwafern R-Typ

Oberflächenorientierung:Ein-Fläche (11-20)

Material:Hoher Reinheitsgrad Al ₂ O ₃ (>99.995%)

Stärke:430 ±15μm

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CHINA Sapphire Wafer

50mm Sapphire Wafer R9 Spiegel polierte EPI bereite Art des Oblaten-Rand-R

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2

Ein spiegelpolierter Saphir-Wafer mit planer Oberflächenausrichtung, EPI-fähig

Hochreiner Al2O3 50 mm Saphir-Substratwafer Dicke 430 μm

Ein planer Saphir-Wafer, hochglanzpoliert, EPI-bereit

Bereite Sapphire Substrate Wafer Edge R Art Spiegel EPI polierte

Kristallorientierung C/M0.2 Saphir-Wafer Dicke 440 μm

Flache Sapphire Substrate Wafer Thk 440um der Länge (Millimeter) 16 LED-Chip

Hochreiner Al2O3＞99,995 % Saphir-Wafer, hochglanzpoliert, EPI-fähig

Crystal Orientation C/M0.2 50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 420um

R-Typ 50 mm Saphir-Wafer Dicke 420 μm Länge (mm) 16 LED-Chip

Optoelektronik Polieren von Saphirkristallwafern R-Typ

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP