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Aluminium-Nitrid-Oblate

CHINA Aluminium-Nitrid-Oblate

1 '' AlN-Aluminiumnitrid-Wafer 400 um S / P / R-Grad chemisches Polieren

Produktname:AlN-Einkristall

Rauheit:Al-Seite: ≤ 0,5 nm N-Seite (Rückseite): ≤ 1,2 μm

Auftritt:Kreisförmige Gurtpositionierungskante
25.4mm 1inch AlN einzelner Kristall 400um 2H Crystal Form

Auftritt:Kreisförmige Gurtpositionierungskante

Produktname:Aluminium-Nitrid-Oblate

Durchmesser (mm):25.4±0.5
1inch AlN einzelner Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um

TUA:≥90%

Polytype:{0001}±0,5°

Produktname:Aluminium-Nitrid-Oblate
C-Ebene AIN auf Saphir-Wafer, einseitig oder beidseitig poliert

Maße:φ50.8mm±0.1mm, VON (1-100), Al Face, Rand 16.0± 1.0mm lokalisierend

Substrat:Saphir (einfache oder doppelte Seiten poliert)

Leitungs-Art:Halb-Isolieren
Halbisolierender Aluminiumnitrid-Wafer AIN auf Saphir-Wafer-Oberfläche

Maße:φ50.8mm±0.1mm, VON (1-100), Al Face, Rand 16.0± 1.0mm lokalisierend

Substrat:Saphir (einfache oder doppelte Seiten poliert)

Leitungs-Art:Halb-Isolieren
Halb isolierender AIN Sapphire Wafer Sapphire Single oder doppelte Seite polierten

Maße:φ50.8mm±0.1mm, VON (1-100), Al Face, Rand 16.0± 1.0mm lokalisierend

Substrat:Saphir (einfache oder doppelte Seiten poliert)

Leitungs-Art:Halb-Isolieren
2-Zoll-Dickfilm-Aluminiumnitrid-Wafer AIN auf Saphir-Wafer-Al-Fläche

Produktname:Aluminium-Nitrid-Oblate

Maße:φ50.8mm±0.1mm, VON (1-100), Al Face, Rand 16.0± 1.0mm lokalisierend

Substrat:Saphir (einfache oder doppelte Seiten poliert)
1um Substrat-einfachen oder doppelten der Seite zu des Aluminium-Nitrid-5um polierte

Produktname:Aluminium-Nitrid-Oblate

Maße:φ50.8mm±0.1mm, VON (1-100), Al Face, Rand 16.0± 1.0mm lokalisierend

Substrat:Saphir (einfache oder doppelte Seiten poliert)
AIN On Aluminum Nitride Wafer-Rauheit Ra<1.5nm

Stärke:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm

Orientierung:C-Ebene (0001)±1˚

Leitungs-Art:Halb-Isolieren
Dickschicht 2um 3um AIN auf Saphirwafer 2 Zoll halbisolierend

Maße:φ50.8mm±0.1mm, VON (1-100), Al Face, Rand 16.0± 1.0mm lokalisierend

Substrat:Saphir (einfache oder doppelte Seiten poliert)

Orientierung:C-Ebene (0001)±1˚
1-Zoll-AlN-Einkristall-Aluminiumnitrid-Wafer 400 μm S / P / R-Qualität

Produktname:Aluminium-Nitrid-Oblate

Durchmesser:25,4 ± 0,5 mm

Stärke:400 ± 50 μm
2 Zoll Fläche AIN Sapphire Single Crystal Wafers C halb isolierend

Substrat:Saphir (einfache oder doppelte Seiten poliert)

Produktname:Aluminium-Nitrid-Oblate

Stärke:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm

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1 '' AlN-Aluminiumnitrid-Wafer 400 um S / P / R-Grad chemisches Polieren

25.4mm 1inch AlN einzelner Kristall 400um 2H Crystal Form

1inch AlN einzelner Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um

C-Ebene AIN auf Saphir-Wafer, einseitig oder beidseitig poliert

Halbisolierender Aluminiumnitrid-Wafer AIN auf Saphir-Wafer-Oberfläche

Halb isolierender AIN Sapphire Wafer Sapphire Single oder doppelte Seite polierten

2-Zoll-Dickfilm-Aluminiumnitrid-Wafer AIN auf Saphir-Wafer-Al-Fläche

1um Substrat-einfachen oder doppelten der Seite zu des Aluminium-Nitrid-5um polierte

AIN On Aluminum Nitride Wafer-Rauheit Ra<1.5nm

Dickschicht 2um 3um AIN auf Saphirwafer 2 Zoll halbisolierend

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