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Kopierte Sapphire Substrates

CHINA Kopierte Sapphire Substrates

Flacher Kantenwinkel 16 mm gemusterte Vorderseite des Saphirsubstrats

Maß:50,80 ± 0,10 mm

Stärke:430 ± 10 μm

Flache Kantenbreite:16 ± 1,0 mm
Kopierte Sapphire Crystal Wafer 2inch Sapphire Substrate

Maß:50,80 ± 0,10 mm

Flacher Kantenwinkel:A-Ebene ±0,2˚

TTV:≤5 μm
50,80 mm gemusterte Saphirsubstrate 430 um A-Ebene

Flache Kantenbreite:16 ± 1,0 mm

Flacher Kantenwinkel:A-Ebene ±0,2˚

TTV:≤5 μm
Zurück Laserherstellung von gemustertem PSS-Saphir-Substrat TTV 5um

Stärke:430 ± 10 μm

Flache Kantenbreite:16 ± 1,0 mm

TTV:≤5 μm
UKAS kopierte Sapphire Substrates Flat Edge Angle

Stärke:430 ± 10 μm

Flache Kantenbreite:16 ± 1,0 mm

TTV:≤5 μm
0.8um zu 1.2um kopierte geführte Sapphire Substrate Round Edge

Maß:50,80 ± 0,10 mm

Stärke:430 ± 10 μm

Flacher Kantenwinkel:A-Ebene ±0,2˚
Hintere Oberflächenrauigkeit 0.8um zu 1.2um kopierte Sapphire Substrates Width 16mm

Maß:50,80 ± 0,10 mm

Stärke:430 ± 10 μm

Flache Kantenbreite:16 ± 1,0 mm
50.80mm kopierten Polier-Sapphire Substrates Thickness 440um

Maß:50,80 ± 0,10 mm

Stärke:430 ± 10 μm

Flache Kantenbreite:16 ± 1,0 mm
A Ebene gemusterte Saphir-Substrate BOW -8 - 0μm Kantenrundung

Maß:50,80 ± 0,10 mm

Stärke:430 ± 10 μm

Flache Kantenbreite:16 ± 1,0 mm
Gemusterte 2-Zoll-Saphir-Substrate LED-Chip-Substrat 50,80 mm

Maß:50,80 ± 0,10 mm

Stärke:430 ± 10 μm

Flache Kantenbreite:16 ± 1,0 mm

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GaN Epitaxial Wafer: Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung; F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte; 2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate: Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um; 4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm; Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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