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Silikon-Karbid-Kristall

CHINA Silikon-Karbid-Kristall

Flacher Silikon-Karbid-hauptsächlichkristall 4" der Längen-32.5mm p-Grad 100.0mm

Politype:4h

Durchmesser:100,0 mm ± 0,5 mm

Fördermaschinen-Art:N-TYPE
4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4" p-Grad-Si-Gesicht

Politype:4h

Durchmesser:100,0 mm ± 0,5 mm

Orientierung:4,0°±0,2°
0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Siliziumkarbidkristall Typ N

Fördermaschinen-Art:N-TYPE

Widerstandskraft:0.015~0.028ohm.cm

Orientierung:4,0°±0,2°
100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad 18.0mm

Politype:4h

Durchmesser:100,0 mm ± 0,5 mm

Fördermaschinen-Art:N-TYPE
100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad Politype 4H

Politype:4h

Durchmesser:100,0 mm ± 0,5 mm

Fördermaschinen-Art:N-TYPE
4" P Grade Siliziumkarbid-Kristallwiderstand 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm

Politype:4h

Fördermaschinen-Art:N-TYPE

Widerstandskraft:0.015~0.028ohm.cm
Sic Kristall 4" des Barren-JDZJ01-001-002 d-Grad

Politype:4h

Durchmesser:100,0 mm ± 0,5 mm

Fördermaschinen-Art:N-TYPE
JDZJ01-001-008 4 & 6 Zoll SiC-Impfkristall

Politype:4h

Durchmesser:105 ± 0,5 mm

Stärke:500 ± 50 μm
JDZJ01-001-007 Siliziumkarbid-Impfkristall

Durchmesser:105 ± 0,5 mm

Fördermaschinen-Art:500 ± 50 μm

TTV:≤15μm
Sic JDZJ01-001-005 Impfkristall S ordnen 6" s-Grad φ153±0.5mm

Verzerrung (μm):≤50μm

Durchmesser:153 ± 0,5 mm

Stärke:500 ± 50 mm
JDZJ01-001-004 SiC-Ingot-Kristall 6" P-Klasse

Politype:4h

Durchmesser:150,0 mm ± 0,5 mm

Fördermaschinen-Art:N-TYPE
Sic JDZJ01-001-006 Impfkristall S ordnen 6" s-Grad φ153±0.5mm

Verzerrung (μm):≤50μm

Durchmesser:153 ± 0,5 mm

Kantenlänge der Hauptpositionierung:8,0 ± 2,0

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0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Siliziumkarbidkristall Typ N

100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad 18.0mm

100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad Politype 4H

4" P Grade Siliziumkarbid-Kristallwiderstand 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm

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Sic JDZJ01-001-006 Impfkristall S ordnen 6" s-Grad φ153±0.5mm

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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