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Schnelles thermisches Vergütungssystem

CHINA Schnelles thermisches Vergütungssystem

RTP-SA-8 Aufheizungssystem für schnelle thermische Verarbeitung

Maximale Produktgröße:Wafer mit einer Breite von 8 Zoll oder weniger

Geräteabmessungen:970 mm x 1450 mm x 2024 mm (Breite x Tiefe x Höhe)

HeizungsTemperaturspanne:Raumtemperatur ~ 800 °C (Thermokopf) 800 °C ~ 1250 °C (Infrarot-Pyrometer)
150mm schnelles thermisches Vergütungssystem mit drei Satz-Prozessgasen

Produktname:Schnelles thermisches Vergütungssystem

Modell:RTP-150RL

Maximale Stichprobengröße:150mm

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über

GaN Epitaxial Wafer: Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung; F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte; 2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate: Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um; 4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm; Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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