CHINA Laserdiode-Chip

Schwellenstrom 0,5 A Laserdiodenchip Laserdrucksteilheit Wirkungsgrad 1,0 W/A

Paket-Art:Oberflächenmontage, Standardpaket

Art:Laserdiode

Anwendung:Laserdruck
915 nm 10 W COS-Diodenlaserchip im Submount-Design

Art:Laserdiode

Anwendung:Laserdruck

Paket-Art:Oberflächenmontage, Standardpaket
Chip Printing Surface Mount Standard-Paket der Laserdiode-915nm

Paket-Art:Oberflächenmontage, Standardpaket

Betriebstemperatur:15-55℃

Wellenlänge:915nm
Emittergröße 94 µm Diodenlaserchip auf Submount-Design Schwellenstrom 0,5 A

Art:Laserdiode

Anwendung:Laserdruck

Paket-Art:Oberflächenmontage, Standardpaket
Oberflächenmontierter Laserdiodenchip im Standardpaket 1,0 W/A

Art:Laserdiode

Anwendung:Laserdruck

Betriebstemperatur:15-55℃
Laserdruck Laserdiode Halbleiterchip 1,0 W/A Emittergröße 94 μm Wellenlänge 915 nm

Art:Laserdiode

Anwendung:Laserdruck

Paket-Art:Oberflächenmontage, Standardpaket
Schwellenstrom 0,5 A Laserdiode Chip Leistungsumwandlungseffizienz 58 %

Art:Laserdiode

Anwendung:Laserdruck

Paket-Art:Oberflächenmontage, Standardpaket
Laserdruck-Diode Chip Operating Temperature 15 bis 55 Grad-Spitzenleistung 10W

Art:Laserdiode

Anwendung:Laserdruck

Paket-Art:Oberflächenmontage, Standardpaket
Wellenlänge 915nm Chip Slope Efficiencys 1.0W/A der Laserdiode-94um

Art:Laserdiode

Paket-Art:Oberflächenmontage, Standardpaket

Wellenlänge:915nm
Oberflächenberg Chip Laser Printing Wavelengths 915nm der Laserdiode-0.5A

Art:Laserdiode

Anwendung:Laserdruck

Paket-Art:Oberflächenmontage, Standardpaket

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Laserdiode-Chip

CHINA Laserdiode-Chip

Schwellenstrom 0,5 A Laserdiodenchip Laserdrucksteilheit Wirkungsgrad 1,0 W/A

915 nm 10 W COS-Diodenlaserchip im Submount-Design

Chip Printing Surface Mount Standard-Paket der Laserdiode-915nm

Emittergröße 94 µm Diodenlaserchip auf Submount-Design Schwellenstrom 0,5 A

Oberflächenmontierter Laserdiodenchip im Standardpaket 1,0 W/A

Laserdruck Laserdiode Halbleiterchip 1,0 W/A Emittergröße 94 μm Wellenlänge 915 nm

Schwellenstrom 0,5 A Laserdiode Chip Leistungsumwandlungseffizienz 58 %

Laserdruck-Diode Chip Operating Temperature 15 bis 55 Grad-Spitzenleistung 10W

Wellenlänge 915nm Chip Slope Efficiencys 1.0W/A der Laserdiode-94um

Oberflächenberg Chip Laser Printing Wavelengths 915nm der Laserdiode-0.5A

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP