CHINA Ga2O3-Wafer

Oblate einzelner Crystal Substrate Thickness FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm bis 0.8mm

Stärke:0.6~0.8mm

Produktname:Einzelner Crystal Substrate

Orientierung:(010)
Einseitig poliertes Ga2O3-Substrat Einkristalldicke 0,6 mm 0,8 mm

Ra:≤0.5nm

Stärke:0.6~0.8mm

Produktname:Einzelner Crystal Substrate
10x10mm Ga2O3 Oblate 10x15mm einzelner Crystal Substrate

Orientierung:（010）(201)

Maße:10*10mm; 10*15mm

Produktname:Einzelner Crystal Substrate
Doping Halbleiter-einzelnes Crystal Gallium Oxide Substrates UID

Stärke:0.6~0.8mm

Produktname:Einzelner Crystal Substrate

Orientierung:（010）(201)
10 x 15 mm2 UID-dotierter freistehender Ga2O3-Wafer, Einzelpolierung

Stärke:0.6~0.8mm

Produktname:Einzelner Crystal Substrate

Orientierung:（010）(201)
Ra 0,3 nm Ga2O3 Einkristall-Epitaxialwafer 2 Zoll 4 Zoll

Produktname:Einzelner Crystal Substrate

Stärke:0.6~0.8mm

Orientierung:(201)
Sn-dotiertes Ga2O3-Wafer-Einkristallsubstrat 10x10mm2

Stärke:0.6~0.8mm

Produktname:Einzelner Crystal Substrate

Orientierung:(201)
Ga2O3 Fe-dotiertes Wafer-Einkristallsubstrat 10 x 10 mm2 freistehend

FWHM:<350arcsec>

Polierte Oberfläche:Simplex poliert

Stärke:0.6~0.8mm
Simplex polierte Ga2O3 Oblate einzelner Crystal Substrate

Produktname:Einzelner Crystal Substrate

Stärke:0.6~0.8mm

Polierte Oberfläche:Simplex poliert
0.6mm 0.8mm Ga2O3 einzelner Crystal Substrate Single Polishing

Produktname:Einzelner Crystal Substrate

Orientierung:(201)

Polierte Oberfläche:Simplex poliert
JDCD04-001-007 10 x 10 mm2 (010) Sn-dotiertes freistehendes Ga2O3-Einkristall-Substrat Produktqualität Einzelpolierung

Stärke:0.6~0.8mm

Produktname:Einzelner Crystal Substrate

Orientierung:(101)
JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-lackierte freistehendes Ga2O3 einzelnes Crystal Substrate Product Grade einzelnes Polnisch

Stärke:0.6~0.8mm

Produktname:Einzelner Crystal Substrate

Orientierung:(201)

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Ga2O3-Wafer

CHINA Ga2O3-Wafer

Oblate einzelner Crystal Substrate Thickness FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm bis 0.8mm

Einseitig poliertes Ga2O3-Substrat Einkristalldicke 0,6 mm 0,8 mm

10x10mm Ga2O3 Oblate 10x15mm einzelner Crystal Substrate

Doping Halbleiter-einzelnes Crystal Gallium Oxide Substrates UID

10 x 15 mm2 UID-dotierter freistehender Ga2O3-Wafer, Einzelpolierung

Ra 0,3 nm Ga2O3 Einkristall-Epitaxialwafer 2 Zoll 4 Zoll

Sn-dotiertes Ga2O3-Wafer-Einkristallsubstrat 10x10mm2

Ga2O3 Fe-dotiertes Wafer-Einkristallsubstrat 10 x 10 mm2 freistehend

Simplex polierte Ga2O3 Oblate einzelner Crystal Substrate

0.6mm 0.8mm Ga2O3 einzelner Crystal Substrate Single Polishing

JDCD04-001-007 10 x 10 mm2 (010) Sn-dotiertes freistehendes Ga2O3-Einkristall-Substrat Produktqualität Einzelpolierung

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-lackierte freistehendes Ga2O3 einzelnes Crystal Substrate Product Grade einzelnes Polnisch

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP