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CVD-Diamantsubstrate

CHINA CVD-Diamantsubstrate

CVD-Diamantsubstrate in elektronischer Qualität Dielektrizitätskonstante 5.5

Dichte (g/cm3):3.515

Produktname:CVD-Diamantsubstrate

Erster Koeffizient:0,1
XRD

Dichte (g/cm3):3.515

Produktname:CVD-Diamantsubstrate

Erster Koeffizient:0,1
3 X 3mm2 Stickstoffgehalt CVD Diamond Substrates < 100ppb für Kühlkörper

Dichte (g/cm3):3.515

Elastizitätsmodul (PGa):1050

Produktname:CVD-Diamantsubstrate
N-Gehalt

Dichte (g/cm3):3.515

Elastizitätsmodul (PGa):1050

Produktname:CVD-Diamantsubstrate
3,515 g/cm3 CVD-Diamantsubstrate Lichtdurchlässigkeit 225 nm bis fernes Infrarot

Dichte (g/cm3):3.515

Elastizitätsmodul (PGa):1050

Produktname:CVD-Diamantsubstrate
Elastizitätsmodul 1050PGa einzelner Crystal Substrate Electronic Grade

Produktname:CVD-Diamantsubstrate

Bruchzähigkeit (MPa·m1/2):1~8

Erster Koeffizient:0,1
Wm K 1000 | CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K

Dichte (g/cm3):3.515

Elastizitätsmodul (PGa):1050

Produktname:CVD-Diamantsubstrate
225 nm bis Ferninfrarot Einkristall-Diamant-Wafer N-Gehalt in elektronischer Qualität

Produktname:CVD-Diamantsubstrate

Dichte (g/cm3):3.515

Elastizitätsmodul (PGa):1050
70 bis 120 PGa Grad CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic

Dichte (g/cm3):3.515

Elastizitätsmodul (PGa):1050

Produktname:CVD-Diamantsubstrate
elektronischer Grad einzelner Crystal Diamond 225nm 3x3mm2 0.3mm zum weiten Infrarot

Dichte (g/cm3):3.515

Elastizitätsmodul (PGa):1050

Produktname:CVD-Diamantsubstrate
JDCD05-001-004 3 * 3 mm2 * 0,5 mm Einkristall-Diamant in elektronischer Qualität, N-Gehalt < 100 ppb, XRD < 0,015º Wärmeleitfähigkeit

Dichte (g/cm3):3.515

Elastizitätsmodul (PGa):1050

Produktname:CVD-Diamantsubstrate
JDCD05-001-007 CVD-Diamantsubstrate

Dichte (g/cm3):3.515

Elastizitätsmodul (PGa):1050

Produktname:CVD-Diamantsubstrate

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3 X 3mm2 Stickstoffgehalt CVD Diamond Substrates < 100ppb für Kühlkörper

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3,515 g/cm3 CVD-Diamantsubstrate Lichtdurchlässigkeit 225 nm bis fernes Infrarot

Elastizitätsmodul 1050PGa einzelner Crystal Substrate Electronic Grade

Wm K 1000 | CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K

225 nm bis Ferninfrarot Einkristall-Diamant-Wafer N-Gehalt in elektronischer Qualität

70 bis 120 PGa Grad CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic

elektronischer Grad einzelner Crystal Diamond 225nm 3x3mm2 0.3mm zum weiten Infrarot

JDCD05-001-004 3 * 3 mm2 * 0,5 mm Einkristall-Diamant in elektronischer Qualität, N-Gehalt < 100 ppb, XRD < 0,015º Wärmeleitfähigkeit

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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP