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150mm schnelles thermisches Vergütungssystem mit drei Satz-Prozessgasen
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2024-11-18 17:56:05

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GaN Epitaxial Wafer: Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung; F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte; 2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate: Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um; 4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm; Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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