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single crystal diamond wafer online manufacture

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kaufen 225 nm bis Ferninfrarot Einkristall-Diamant-Wafer N-Gehalt in elektronischer Qualität Online fabricant

225 nm bis Ferninfrarot Einkristall-Diamant-Wafer N-Gehalt in elektronischer Qualität
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2022-09-27 17:13:55
kaufen elektronischer Grad einzelner Crystal Diamond 225nm 3x3mm2 0.3mm zum weiten Infrarot Online fabricant

elektronischer Grad einzelner Crystal Diamond 225nm 3x3mm2 0.3mm zum weiten Infrarot
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2022-09-27 17:12:26
kaufen XRD Online fabricant

XRD
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2022-09-27 17:14:11
kaufen 70 bis 120 PGa Grad CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic Online fabricant

70 bis 120 PGa Grad CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic
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2022-09-27 17:13:37
kaufen N-Gehalt Online fabricant

N-Gehalt
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2022-09-27 17:14:46
kaufen Elastizitätsmodul 1050PGa einzelner Crystal Substrate Electronic Grade Online fabricant

Elastizitätsmodul 1050PGa einzelner Crystal Substrate Electronic Grade
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2022-09-27 17:14:25
kaufen CVD-Diamantsubstrate in elektronischer Qualität Dielektrizitätskonstante 5.5 Online fabricant

CVD-Diamantsubstrate in elektronischer Qualität Dielektrizitätskonstante 5.5
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2022-09-27 17:12:44
kaufen JDCD05-001-003 10*10mm2*0.3mm elektronischer Grad einzelner Crystal Diamond, N Content<100ppb, Wärmeleitfähigkeit XRD<0.015º Online fabricant

JDCD05-001-003 10*10mm2*0.3mm elektronischer Grad einzelner Crystal Diamond, N Content<100ppb, Wärmeleitfähigkeit XRD<0.015º
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2022-09-28 15:00:05
kaufen 3 X 3mm2 Stickstoffgehalt CVD Diamond Substrates &lt; 100ppb für Kühlkörper Online fabricant

3 X 3mm2 Stickstoffgehalt CVD Diamond Substrates < 100ppb für Kühlkörper
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2022-10-09 09:54:10
kaufen JDCD05-001-004 3 * 3 mm2 * 0,5 mm Einkristall-Diamant in elektronischer Qualität, N-Gehalt &lt; 100 ppb, XRD &lt; 0,015º Wärmeleitfähigkeit Online fabricant

JDCD05-001-004 3 * 3 mm2 * 0,5 mm Einkristall-Diamant in elektronischer Qualität, N-Gehalt < 100 ppb, XRD < 0,015º Wärmeleitfähigkeit
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2022-10-09 09:54:38
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

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Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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