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70 bis 120 PGa Grad CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic

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70 bis 120 PGa Grad CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic

70 bis 120 PGa Grad CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic
70 bis 120 PGa Grad CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic

Großes Bild :  70 bis 120 PGa Grad CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic

Produktdetails:
Markenname: GaNova
Modellnummer: JDCD05-001-001
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 6 Stück oder Einzelwaf
Lieferzeit: 3-4 Wochentage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 5000pcs/month

70 bis 120 PGa Grad CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic

Beschreibung
Dichte (g/cm3): 3.515 Elastizitätsmodul (PGa): 1050
Produktname: CVD-Diamantsubstrate Bruchzähigkeit (MPa·m1/2): 1~8
Erster Koeffizient: 0,1 Wärmeleitfähigkeit (300 K, Wm·K): 1000~2000
Hervorheben:

120 PGa CVD Diamond Substrates

,

70 PGa einzelner Crystal Diamond

,

300K CVD Diamond Substrates

70~120 einzelner Crystal Electronic Grade Single Crystal Diamant

3*3mm ² *0.3mm elektronischer Grad einzelner Crystal Diamond, Stickstoffgehalt<100ppb>

Überblick

HPHT-einzelner Kristalldiamant sind die synthetischen Diamanten, die durch Hochdrucksynthese der hohen Temperatur unter hochstrukturierten Wachstumsbedingungen produziert werden. Superern stark hauptsächlich Diamantkristallplatte des Industriellgrades produzieren einzelne synthetische. Die Formen von mcd Diamantplatten umfassen runde Form, quadratische Form, Rechteck- und hexangleformen, etc.


Spezifikation

Eigenschaften Synthetischer Diamant
Dichte (g/cm3) 3,515 Tatsächliche Eigenschaften
Elastizitätsmodul (PGa) 1050

Mechanisches Eigentum

Härte (PGa)

Kristall 70~120single

60~100 polykristallin

Bruchfestigkeit

2.5-3G Pasingle Kristall

200-1100MPa polykristallin

Bruchhärte (MPa·m1/2) 1~8
Firctions-Koeffizient 0,1
Wärmeleitfähigkeit (300K, Wm·K) 1000~2000 Thermische Eigenschaften
Ausdehnungskoeffizient (×10-6/℃) 1 (Raumtemperatur)
Rerfractive-Index (590nm) 2,4 Optische Eigenschaften
Helle Beförderung 225nm zum weiten Infrarot
Bandlückebreite (ev) 5,47 Elektrische Eigenschaften
Widerstandskraft (Ω·cm) >1010
Elektronenbeweglichkeit (cm2/V·s) 4500
Löcherbeweglichkeit (cm2/V·s) 3800
Dielektrizitätskonstante 5,5 Dielektrische Eigenschaften
Dielektrische Verluste <2×10-4

Über uns

Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.

FAQ

Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <> Zahlung >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Balance vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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