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heat sink cvd diamond substrates online manufacture

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3 X 3mm2 Stickstoffgehalt CVD Diamond Substrates < 100ppb für Kühlkörper
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3,515 g/cm3 CVD-Diamantsubstrate Lichtdurchlässigkeit 225 nm bis fernes Infrarot
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2022-09-27 17:12:16

Wm K 1000 | CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K
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CVD-Diamantsubstrate in elektronischer Qualität Dielektrizitätskonstante 5.5
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70 bis 120 PGa Grad CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic
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Elastizitätsmodul 1050PGa einzelner Crystal Substrate Electronic Grade
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elektronischer Grad einzelner Crystal Diamond 225nm 3x3mm2 0.3mm zum weiten Infrarot
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225 nm bis Ferninfrarot Einkristall-Diamant-Wafer N-Gehalt in elektronischer Qualität
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP