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Wm K 1000 | CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
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Wm K 1000 | CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K

Wm K 1000 | CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K
Wm K 1000 | CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K

Großes Bild :  Wm K 1000 | CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K

Produktdetails:
Markenname: GaNova
Modellnummer: JDCD05-001-001
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 6 Stück oder Einzelwaf
Lieferzeit: 3-4 Wochentage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 5000pcs/month

Wm K 1000 | CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K

Beschreibung
Dichte (g/cm3): 3.515 Elastizitätsmodul (PGa): 1050
Produktname: CVD-Diamantsubstrate Bruchzähigkeit (MPa·m1/2): 1~8
Erster Koeffizient: 0,1 Wärmeleitfähigkeit (300 K, Wm·K): 1000~2000
Brechungsindex (590nm): 2,4 Helle Beförderung: 225 nm bis fernes Infrarot
Hervorheben:

Wm K CVD 1000 Diamond Substrates

,

Wm K CVD 2000 Diamond Substrates

Leitfähigkeit 300K, Wm CVD Diamond Substrates Thermal·K 1000~2000

3*3mm ² *0.3mm elektronischer Grad einzelner Crystal Diamond, Stickstoffgehalt<100ppb>

Überblick

Kundengebundene Form und Größe sind verfügbar!

Anwendung
a, Schneidwerkzeuge für die Nichteisen- und nicht-metallischen Materialien.
b, Aufbereiter für Radbehandlung
c, eine Vielzahl von speciallity Messern
d, Werkzeuge polierend, Schneidwerkzeuge
e, Abnutzungsteile
f, Drahtziehen stirbt
g, optisches Fenster


Spezifikation

Eigenschaften Synthetischer Diamant
Dichte (g/cm3) 3,515 Tatsächliche Eigenschaften
Elastizitätsmodul (PGa) 1050

Mechanisches Eigentum

Härte (PGa)

Kristall 70~120single

60~100 polykristallin

Bruchfestigkeit

Kristall 2.5-3GPasingle

200-1100MPa polykristallin

Bruchhärte (MPa·m1/2) 1~8
Firctions-Koeffizient 0,1
Wärmeleitfähigkeit (300K, Wm·K) 1000~2000 Thermische Eigenschaften
Ausdehnungskoeffizient (×10-6/℃) 1 (Raumtemperatur)
Rerfractive-Index (590nm) 2,4 Optische Eigenschaften
Helle Beförderung 225nm zum weiten Infrarot
Bandlückebreite (ev) 5,47 Elektrische Eigenschaften
Widerstandskraft (Ω·cm) >1010
Elektronenbeweglichkeit (cm2/V·S) 4500
Löcherbeweglichkeit (cm2/V·S) 3800
Dielektrizitätskonstante 5,5 Dielektrische Eigenschaften
Dielektrische Verluste <2×10-4

Über uns

Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.

FAQ

Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <> Zahlung >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Balance vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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