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sic epitaxial wafer c face online manufacture

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kaufen SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um Online fabricant

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2022-10-08 16:41:01
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2022-10-24 10:22:34
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P Niveau SI Art 6inch 4H Substrat 150mm sic halb isolierend
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2022-10-24 10:21:46
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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