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N-Typ 6-Zoll-4H-Siliziumkarbid-Substrat Primäre flache Länge 47,5 mm

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
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N-Typ 6-Zoll-4H-Siliziumkarbid-Substrat Primäre flache Länge 47,5 mm

N-Typ 6-Zoll-4H-Siliziumkarbid-Substrat Primäre flache Länge 47,5 mm
N-Typ 6-Zoll-4H-Siliziumkarbid-Substrat Primäre flache Länge 47,5 mm

Großes Bild :  N-Typ 6-Zoll-4H-Siliziumkarbid-Substrat Primäre flache Länge 47,5 mm

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou China
Markenname: GaNova
Zertifizierung: UKAS/ISO9001:2015
Modellnummer: JDCD03-002-009
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 25 Stück oder Einzelwa
Lieferzeit: 3-4 Wochentage
Zahlungsbedingungen: T/T

N-Typ 6-Zoll-4H-Siliziumkarbid-Substrat Primäre flache Länge 47,5 mm

Beschreibung
Produktname: Sic Epitaxial- Oblate Crystal Form: 4h
Durchmesser: 150,0 mm+0,0/-0,2 mm Oberflächenorientierung: {0001}±0,2°
Kerbenorientierung: <1-100>±1° Kerbenwinkel: 90° +5°/-1°
Hervorheben:

N-Typ-Siliziumkarbidsubstrat

,

6-Zoll-SiC-Substrat

,

D-Grad-Siliziumkarbidsubstrat 47

6 Zoll 4H-SiC-Substrat N-Typ D Klasse 350,0 ± 25,0 μm MPD ≤ 5/cm2 Widerstand 0,014 Ω·cm – 0,028 Ω·cm für Leistungs- und Mikrowellengeräte

 

 

Überblick
Siliziumkarbid (SiC) ist ein kovalenter Netzwerkfeststoff.Wenn wir uns seine Struktur ansehen, werden wir feststellen, dass die Atome des Siliziums mit Hilfe einer kovalenten Bindung tetraedrisch mit Kohlenstoffatomen verbunden sind.


Wir bieten eine komplette SiC-Materiallösung mit flexiblen Spezifikationen.

Dicke Epischichten Mit oder ohne Puffer
Mehrschichtige Strukturen Verschiedene Dotierungsniveaus, einschließlich pn-Übergänge
In-Process-Epitaxie Eingebettete & vergrabene Strukturen, Kontaktschichten

 

 

Eigentum P-MOS-Klasse P-SBD-Klasse D-Klasse
Kristallform 4H
Polytyp Keine Zulässig Bereich≤5%
(MPD)A ≤0,2/cm2 ≤0,5/cm2 ≤5 /cm2
Sechskantplatten Keine Zulässig Bereich≤5%
Hexagonaler Polykristall Keine Zulässig
EinschlüsseA Fläche ≤ 0,05 % Fläche ≤ 0,05 % N / A
Widerstand 0,015 Ω·cm – 0,025 Ω·cm 0,015 Ω·cm – 0,025 Ω·cm 0,014 Ω·cm – 0,028 Ω·cm
(EPD)A ≤4000/cm2 ≤8000/cm2 N / A
(TED)A ≤3000/cm2 ≤6000/cm2 N / A
(BPS)A ≤1000/cm2 ≤2000/cm2 N / A
(TSD)A ≤600/cm2 ≤1000/cm2 N / A
Stapelfehler ≤0,5 % Fläche ≤1 % Fläche N / A

 

Oberflächenmetallkontamination

 

(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2

Durchmesser 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Oberflächenorientierung Außerhalb der Achse: 4 ° in Richtung <11-20> ± 0,5 °
Primäre flache Länge 47,5 mm ± 1,5 mm
Sekundäre flache Länge Keine Zweitwohnung
Primäre flache Ausrichtung Parallel zu <11-20> ±1°
Sekundäre flache Ausrichtung N / A
Orthogonale Fehlorientierung ±5,0°
Oberflächenfinish C-Fläche: Optische Politur, Si-Fläche: CMP
Wafer-Rand Abschrägen

Oberflächenrauheit

(10μm×10μm)

Si-Fläche Ra ≤ 0,20 nm; C-Fläche Ra ≤ 0,50 nm
DickeA 350,0 μm ± 25,0 μm
LTV (10 mm × 10 mm)A ≤2 μm ≤3 μm
(TTV)A ≤6 μm ≤10 μm
(BOGEN)A ≤15 μm ≤25 μm ≤40 μm
(Kette)A ≤25 μm ≤40 μm ≤60 μm
Chips/Einkerbungen Keine Zulässig ≥0,5 mm Breite und Tiefe Menge 2 ≤1,0 mm Breite und Tiefe

KratzerA

(Si-Gesicht, CS8520)

≤ 5 und Gesamtlänge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

≤5 und Gesamtlänge ≤1,5 ​​× Wafer

Durchmesser

TUA (2mm*2mm) ≥98% ≥95% N / A
Risse Keine Zulässig
Kontamination Keine Zulässig
Eigentum P-MOS-Klasse P-SBD-Klasse D-Klasse
Kantenausschluss 3mm

Hinweis: 3 mm Randausschluss wird für die mit gekennzeichneten Artikel verwendetA.

 

Über uns

Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.

 

FAQ

F: Sind Sie Handelsunternehmen oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
F: Wie lange ist Ihre Lieferzeit?
In der Regel sind es 3-5 Tage, wenn die Ware auf Lager ist.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Ware nicht auf Lager ist, es ist nach Menge.
F: Stellen Sie Proben zur Verfügung?Ist es kostenlos oder extra?
Ja, wir könnten das Muster kostenlos anbieten, zahlen aber nicht die Frachtkosten.
F: Wie lauten Ihre Zahlungsbedingungen?
Zahlung <=5000USD, 100% im Voraus.
Paymen >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Restbetrag vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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