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Produktdetails:
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| Produktname: | AlN-Einkristall | Rauheit: | Al-Seite: ≤ 0,5 nm N-Seite (Rückseite): ≤ 1,2 μm |
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| Auftritt: | Kreisförmige Gurtpositionierungskante | TUA: | ≥90% |
| Ausrichtung der Hauptpositionierungskante: | {10-10} ±5.0° | TTV (μm): | ≤30 |
| Hervorheben: | 1 '' Aluminiumnitrid-Wafer,AlN-Wafer S-Klasse,Aluminiumnitrid-Wafer 400um |
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1 '' AlN Einkristall 400 ± 50 μm S / P / R-Aluminiumoberfläche: Chemisches Polieren Doppeltes Polieren kann angepasst werden
JDCD02-001-003 1 Zoll AlN-Einkristall 400 ± 50 μm S/P/R-Qualität
Was ist Aluminiumnitrid?Aluminiumnitrid (AlN) ist ein hervorragendes Material, wenn eine hohe Wärmeleitfähigkeit und elektrische Isoliereigenschaften erforderlich sind;Dies macht es zu einem idealen Material für den Einsatz im Wärmemanagement und in elektrischen Anwendungen.
Das Material ist bei hohen Temperaturen unter einer inerten Atmosphäre stabil.Es hat eine schützende Oxidschicht, die das Material bei bis zu 1370 °C schützt.Es ist auch in Wasserstoffatmosphären bis zu 980 °C stabil.Es kann durch starkes Alkali aufgelöst oder hydrolysiert werden, ist aber beständig gegen die meisten geschmolzenen Salze und Kryolith.Deshalb ist es in der Mikroelektronik so nützlich.
| 1-Zoll-Aluminiumnitrid-Einkristallsubstrat | |||
| Kristallspezifikationen | Parameterwert | ||
| Durchmesser (mm) | 25,4 ± 0,5 | ||
| Dicke (μm) | 400±50 | ||
| Kristallform | 2H | ||
| Polytyp | {0001}±0,5° | ||
| Polieren der Oberfläche | Aluminiumoberfläche: chemisches Polieren (doppeltes Polieren kann angepasst werden) | ||
| Rauheit |
Al Gesicht: ≤ 0,5 nm N-Seite (Rückseite): ≤ 1,2 μm |
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| Aussehen | Umlaufende Gurtpositionierungskante | ||
| Qualitätsstufe | S-Klasse (Super) | P-Klasse (Produktion) | R-Klasse (Forschung) |
| HRXRD Halbe Höhe Breite@{0002}(Bogensekunde) | ≤150 | ≤300 | ≤500 |
| HRXRD Halbe Höhe Breite@{10-12}(Bogensekunden) | ≤100 | ≤200 | ≤400 |
| Absorptionskoeffizient bei 265 nm (cm-1) | ≤50 | ≤70 | ≤100 |
| Kantenausschluss (mm) | 1 | 1 | 1 |
| Einzüge | / | / | / |
| Chips | / | / | ≤3 Kumulativ ≤1,0 mm |
| TUA | ≥90% | ||
| Ausrichtung der Hauptpositionierungskante | {10-10}±5,0° | ||
| Ausrichtung der sekundären Anlagefläche |
Al-Fläche: Drehung im Uhrzeigersinn in Richtung der Hauptpositionierungskante 90 ° ± 5 ° N-Fläche: Drehung gegen den Uhrzeigersinn in Richtung der Hauptpositionierungskante 90 ° ± 5 ° |
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| TTV (μm) | ≤30 | ||
| Krümmung (μm) | ≤30 | ||
| Bogen (μm) | ≤30 | ||
| Risse | Nein, bloßes Auge, starkes Licht | ||
| Kontamination | Nein, bloßes Auge, Strahlung | ||
| Lasercodierung | N-Fläche,parallel zur Hauptanlagekante | ||
| Paket | Monolithische Waffelbox | ||
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.
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