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polished sapphire wafers online manufacture

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Spiegel polierte Sapphire Wafer EPI bereiter Front Surface
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2023-02-17 10:45:27

1inch Aluminium-Nitrid AlN einzelner Crystal Sapphire Wafer 400um
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2022-09-27 15:37:46

C-Ebene AIN auf Saphir-Wafer, einseitig oder beidseitig poliert
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2022-09-27 15:39:11

2 Zoll Fläche AIN Sapphire Single Crystal Wafers C halb isolierend
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2022-09-27 15:43:34

4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand＞0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer
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2025-04-04 22:43:54

Halb isolierender AIN Sapphire Wafer Sapphire Single oder doppelte Seite polierten
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2024-10-29 11:49:58

Ein spiegelpolierter Saphir-Wafer mit planer Oberflächenausrichtung, EPI-fähig
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2023-02-17 10:18:27

2-Zoll-Dickfilm-Aluminiumnitrid-Wafer AIN auf Saphir-Wafer-Al-Fläche
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2022-09-27 15:40:34

Dickschicht 2um 3um AIN auf Saphirwafer 2 Zoll halbisolierend
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2022-09-27 15:35:22

$kaufen JDWY01-001-007 2 Zoll Dickschicht (4,5) Um AIN auf Saphirwafer, SSP, XRD FWHM von (002) ≤ 160 Bogensekunden \ (102) ≤ 400 Bogensekunden Online fabricant$

JDWY01-001-007 2 Zoll Dickschicht (4,5) Um AIN auf Saphirwafer, SSP, XRD FWHM von (002) ≤ 160 Bogensekunden \ (102) ≤ 400 Bogensekunden
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2025-04-04 22:43:09

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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP