• German
    English
    French
    German
    Italian
    Russian
    Spanish
    Portuguese
    Dutch
    Greek
    Japanese
    Korean
    Arabic
    Turkish
    Polish
Referenzen |
Startseite ProdukteLaserdiode-Chip

Laserdruck-Diode Chip Operating Temperature 15 bis 55 Grad-Spitzenleistung 10W

Alle Produkte

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Sic Epitaxial- Oblate

(39)

GaAs-Epi-Wafer

(15)

CVD-Diamantsubstrate

(15)

Schnelles thermisches Vergütungssystem

(2)

Tester für Hall-Effekt-Sensoren

(3)

Aluminium-Nitrid-Oblate

(21)

Laserdiode-Chip

(10)

Silikon-Karbid-Kristall

(12)

Ga2O3-Wafer

(13)

Siliziumscheibe

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Kopierte Sapphire Substrates

(10)

oblaten-Halter

(1)

Wafer-Dicing-Maschine

(5)
Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
Ich bin online Chat Jetzt

Laserdruck-Diode Chip Operating Temperature 15 bis 55 Grad-Spitzenleistung 10W

Laserdruck-Diode Chip Operating Temperature 15 bis 55 Grad-Spitzenleistung 10W
Laserdruck-Diode Chip Operating Temperature 15 bis 55 Grad-Spitzenleistung 10W

Großes Bild :  Laserdruck-Diode Chip Operating Temperature 15 bis 55 Grad-Spitzenleistung 10W

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou China
Markenname: GaNova
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 25 Stück oder Einzelwa
Zahlungsbedingungen: T/T
Kontakt

Laserdruck-Diode Chip Operating Temperature 15 bis 55 Grad-Spitzenleistung 10W

Beschreibung
Art: Laserdiode Anwendung: Laserdruck
Paket-Art: Oberflächenmontage, Standardpaket Betriebstemperatur: 15-55℃
Wellenlänge: 915nm Spitzenleistung: 10
Steigungseffizienz: 1,0 W/A Emittergröße: 94 μm
Schwellenstrom: 0.5A Leistungsumwandlungseffizienz: 58%
Hervorheben:

Laserdruck-Dioden-Chip

,

Chip der Laserdiode 10w

,

Dioden-Chip 10W

Laserdruck-Laserdiode Chip Operating Temperature 15-55℃ Ausgangsleistungs-10W

Entwurf 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount

Neuer Fortschritt in der Integration des Hochleistungssilikon-großen Umfangs (Si-LSI) hat große Herausforderungen von den Beschränkungen in der Bandbreite von elektrischem untereinander verbindet passendes, Verzögerung zu signalisieren gegenübergestellt, und auch von der Heizung wegen der großen Dichte von elektrischem verbindet sich untereinander.

Von den möglichen Lösungen, zum dieser Fragen zu überwinden sind optische Verbindungen vom beträchtlichen Interesse, da sie sehr große Bandbreite kennzeichnen, die zu mehr effiziente Arten der Leitinformation innerhalb der HOCHINTEGRIERTEN Schaltungen schließlich führen könnte.

Optisch
Mittelwellenlänge
915nm
Spitzenleistung
10W
Spektralbreite FWHM
≤6nm
Steigungs-Leistungsfähigkeit
1.0W/A
Schnelle Achsen-Abweichung
60Deg
Langsame Achsen-Abweichung
11Deg
Polarisations-Modus
TE
Emitter-Größe
94um
Elektrisch
Schwellen-Strom
0.5A
Betriebsstrom
12A
Funktionierenspannung
1.65V
Energieaufbereitungs-Leistungsfähigkeit
58%
Thermal
Betriebstemperatur
15-55℃
Lagertemperatur
-30-70℃
Wellenlänge Temp. Koeffizient
0.3nm/℃
Zeichnung

Laserdruck-Diode Chip Operating Temperature 15 bis 55 Grad-Spitzenleistung 10W 0

FAQ

Q1: Welche Zahlungsmethoden stützen Sie?
T/T und Western Union, für Ihre Wahl

Q2: Wie lang kann ich das Paket empfangen?
Normalerweise 1-2 Wochen Fedex, DHL ausdrücklich, UPS, TNT

Q3: Was ist die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
Standardprodukt sind alles auf Lager. Versenden über Eil innerhalb 3~4 Werktage. Kundengebundener Stapel benötigt 15 Werktage.

Q4: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Hersteller mit mehr als 11 Jahren Erfahrung und stellen auch die technische Lösung zu allen Kunden zur Verfügung.

Q5: Können Sie Ihrer Qualität garantieren?
Selbstverständlich sind wir einer von obersten angeblichen Herstellern in China. Qualität für uns ist die wichtigste Sache, wir setzte hohen Wert auf unser Ansehen. Beste Qualität ist unser Prinzip ständig.

Größe und Tag:

Laserdiode-Chip der hohen Leistung,

Halbleiter-Dioden-Laser-Chip,

Dioden-Laser Chip On Submount

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

über

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

NACHRICHT HINTERLASSEN

Datenschutz-Bestimmungen | CHINA Gut Qualität GaN Epitaxial Wafer Fournisseur. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.