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semiconductor diode laser chip online manufacture

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Laserdruck Laserdiode Halbleiterchip 1,0 W/A Emittergröße 94 μm Wellenlänge 915 nm
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2022-09-22 15:10:25

Schwellenstrom 0,5 A Laserdiode Chip Leistungsumwandlungseffizienz 58 %
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2022-09-22 15:12:40

Schwellenstrom 0,5 A Laserdiodenchip Laserdrucksteilheit Wirkungsgrad 1,0 W/A
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2022-09-22 15:13:34

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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2023-02-17 10:18:05

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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP