Schwellenstrom 0,5 A Laserdiode Chip Leistungsumwandlungseffizienz 58 %

Name: Schwellenstrom 0,5 A Laserdiode Chip Leistungsumwandlungseffizienz 58 %
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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Schwellenstrom 0,5 A Laserdiode Chip Leistungsumwandlungseffizienz 58 %

Großes Bild : Schwellenstrom 0,5 A Laserdiode Chip Leistungsumwandlungseffizienz 58 %

Produktdetails:

Herkunftsort:	Suzhou China
Markenname:	GaNova

Zahlung und Versand AGB:

Verpackung Informationen:	Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 25 Stück oder Einzelwa
Zahlungsbedingungen:	T/T

Kontakt

Schwellenstrom 0,5 A Laserdiode Chip Leistungsumwandlungseffizienz 58 %

Beschreibung

Art:	Laserdiode	Anwendung:	Laserdruck
Paket-Art:	Oberflächenmontage, Standardpaket	Betriebstemperatur:	15-55℃
Wellenlänge:	915nm	Emittergröße:	94 μm
Schwellenstrom:	0.5A	Leistungsumwandlungseffizienz:	58%
Hervorheben:	0.5A Laser Diode Chip , 5 A Laserdiodenchip , 915-nm-Diodenchips

Schwellenstrom 0,5 A Laserdiode Chip Leistungsumwandlungseffizienz 58 %

915 nm 10 W COS-Diodenlaserchip im Submount-Design

Die On-Chip-Integration von Laserdioden und Fotodetektoren mit Silizium-Nanodraht-Wellenleitern wird demonstriert.Durch Flip-Chip-Bonden von GaInNAs/GaAs-Laserdioden direkt auf das Siliziumsubstrat wurde eine effiziente Wärmeableitung realisiert und charakteristische Temperaturen von bis zu 132 K erreicht.Es wurden Punktgrößenkonverter für die Laser-zu-Wellenleiter-Kopplung verwendet, mit Wirkungsgraden von mehr als 60 %.

Die Fotodetektoren wurden durch direktes Bonden von InGaAs/InP-Wafern auf Silizium-Wellenleiter und Bildung von Metall-Halbleiter-Metall-Strukturen hergestellt, die Empfindlichkeiten von bis zu 0,74 A/W ergeben.Sowohl die Laserdiode als auch der Photodetektor wurden in einen einzelnen Silizium-Wellenleiter integriert, um eine vollständige optische On-Chip-Übertragungsverbindung zu demonstrieren.

Optisch
Mittlere Wellenlänge	915nm
Ausgangsleistung	10 W
Spektralbreite FWHM	≤6nm
Steigungseffizienz	1,0 W/A
Schnelle Achsendivergenz	60Grad
Langsame Achsendivergenz	11 Grad
Polarisationsmodus	TE
Emittergröße	94um
Elektrisch
Schwellenstrom	0,5 A
Betriebsstrom	12A
Betriebsspannung	1,65 V
Leistungsumwandlungseffizienz	58%
Thermal
Betriebstemperatur	15-55℃
Lagertemperatur	-30-70℃
Wellenlänge Temp.Koeffizient	0,3 nm/℃

Zeichnung

Schwellenstrom 0,5 A Laserdiode Chip Leistungsumwandlungseffizienz 58 % 0

FAQ

Q1: Welche Zahlungsmethoden unterstützen Sie?
T/T und Western Union, für Ihre Wahl

Q2: Wie lange kann ich das Paket erhalten?
Normalerweise 1-2 Wochen FedEx, DHL Express, UPS, TNT

Q3: Was ist die Vorlaufzeit?
Standardprodukte sind alle auf Lager.Versand per Express innerhalb von 3~4 Werktagen.Kundenspezifischer Stapel benötigt 15 Arbeitstage.

Q4: Sind Sie Handelsunternehmen oder Hersteller?
Wir sind Hersteller mit mehr als 11 Jahren Erfahrung und bieten allen Kunden auch die technische Lösung.

Q5: Können Sie Ihre Qualität garantieren?
Natürlich sind wir einer der renommiertesten Hersteller in China.Qualität ist für uns das Wichtigste, wir legen großen Wert auf unseren guten Ruf.Beste Qualität ist dabei immer unser Prinzip.

Größe und Tag:

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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