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Produktdetails:
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| Produktname: | 2 Zoll freistehende U-GaN/SI-GaN Substrate | Maße: | 50,8 ± 1mm |
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| Stärke: | 350 ± 25μm | Orientierungs-Ebene: | (1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1mm |
| Sekundärorientierungsebene: | (11-20) ± 3˚, 8 ± 1mm | GA-Gesichtsoberflächenrauigkeit: | < 0=""> |
| Hervorheben: | 375um GaN-Epitaxie-Wafer,Galliumnitrid-Wafer UKAS,GaN-Epitaxie-Wafer 50 |
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350 ± 25 μm (11-20) ± 3Ö, 8 ± 1 mm 2 Zoll freistehende U-GaN/SI-GaN-Substrate
2 Zoll C-Fläche Undotiertes freistehendes GaN-Einkristallsubstrat vom n-Typ Widerstand < 0,1 Ω·cm Leistungsbauelement/Laserwafer
Überblick
Der Standard in der Halbleitermaterialindustrie spezifiziert das Verfahren zum Testen der Oberflächenrauheit von GaN-Einkristallsubstraten mit einem Rasterkraftmikroskop, das für GaN-Einkristallsubstrate gilt, die durch chemische Gasphasenabscheidung und andere Verfahren mit einer Oberflächenrauheit von weniger als 10 nm gezüchtet wurden.
| Freistehende 2-Zoll-U-GaN/SI-GaN-Substrate | |||||||
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Exzellentes Niveau (S) |
Produktionsstufe (A) |
Forschung Niveau (B) |
Schnuller Stufe (C) |
Notiz: (1) Nutzfläche: Ausschluss von Rand- und Makrodefekten (2) 3 Punkte: Die Fehlschnittwinkel der Positionen (2, 4, 5) betragen 0,35 ± 0,15Ö |
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| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | ||||
| Maße | 50,8 ± 1 mm | ||||||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||||||
| Orientierung flach | (1-100) ± 0,5Ö, 16 ± 1 mm | ||||||
| Sekundäre Orientierungsebene | (11-20) ± 3Ö, 8 ± 1 mm | ||||||
| Widerstand (300 K) |
< 0,5 Ω·cm für N-Typ (undotiert; GaN-FS-CU-C50) oder > 1 x 106Ω·cm für halbisolierend (Fe-dotiert; GaN-FS-C-SI-C50) |
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| TTV | ≤ 15 μm | ||||||
| BOGEN | ≤ 20 μm ≤ 40 μm | ||||||
| Ga Gesicht Oberflächenrauheit |
< 0,2 nm (poliert) oder < 0,3 nm (poliert und Oberflächenbehandlung für Epitaxie) |
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| Rauheit der N-Oberfläche |
0,5 ~ 1,5 μm Option: 1~3 nm (fein geschliffen);< 0,2 nm (poliert) |
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| Paket | Verpackt in einem Reinraum in einem einzelnen Waferbehälter | ||||||
| Nutzfläche | > 90 % | >80% | >70% | ||||
| Versetzungsdichte | <9,9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <9,9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <3x106cm-2 | ||
| Ausrichtung: C-Ebene (0001) im Winkel zur M-Achse |
0,35 ± 0,15Ö (3 Punkte) |
0,35 ± 0,15Ö (3 Punkte) |
0,35 ± 0,15Ö (3 Punkte) |
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| Makrodefektdichte (Loch) | 0cm-2 | < 0,3 cm-2 | < 1cm-2 | ||||
| Maximale Größe von Makrodefekten | < 700 μm | < 2000 μm | < 4000 μm | ||||
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.
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