Nachricht senden

German

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Referenzen |

Startseite Produkte

GaAs-Epi-Wafer

CHINA GaAs-Epi-Wafer

JDCD10-001-005 2 Zoll GaAs(111) Zn-dotierte Substrate

Produktname:GaAs-Si-Wafer

Wachstums-Methode:VGF

Verhaltenstyp:S-C-N
JDCD10-001-003 2 Zoll GaAs(100) Zn-dotierte Substrate

Produktname:GaAs-Si-Wafer

Orientierung:(100) 15°±0.5° weg von Toward<111>A

OF Orientierung:EJ[0-1-1]±0,5°
JDCD10-001-004 2inch GaAs (111) Si-lackierte Substrate

Produktname:GaAs-Si-Wafer

Orientierungswinkel:0°

OF Orientierung:EJ[0-1-1]±0,5°

Page 2 of 2|< << 1 2 >> >|

Kategorien durchsuchen：

GaN Epitaxial Wafer
Sic Epitaxial- Oblate
GaAs-Epi-Wafer
CVD-Diamantsubstrate
Schnelles thermisches Vergütungssystem
Tester für Hall-Effekt-Sensoren
Aluminium-Nitrid-Oblate
Laserdiode-Chip
Silikon-Karbid-Kristall
Ga2O3-Wafer
Siliziumscheibe
Sapphire Wafer
Kopierte Sapphire Substrates
oblaten-Halter
Wafer-Dicing-Maschine

über

GaN Epitaxial Wafer: Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung; F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte; 2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate: Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um; 4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm; Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

NACHRICHT HINTERLASSEN

Datenschutz-Bestimmungen | CHINA Gut Qualität GaN Epitaxial Wafer Fournisseur. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.