CHINA GaAs-Epi-Wafer

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  JDCD10-001-003 2-Zoll-GaAs ((100) Zn-doppierte Substrate

  Produktname:GaAs-Si-Wafer

  Orientierung:(100) 15°±0.5° weg von Toward<111>A

  OF Orientierung:EJ[0-1-1]±0,5°

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  JDCD10-001-002 Si-Doppierte Substrate mit 2 Zoll GaAs (100)

  Produktname:GaAs-Si-Wafer

  Wachstums-Methode:VGF

  Verhaltenstyp:S-C-N

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  JDCD10-001-001 2 Zoll GaAs (100) Undotierte Substrate

  Produktname:GaAs-Si-Wafer

  Wachstums-Methode:VGF

  Verhaltenstyp:S-C-N

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