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cz silicon wafer online manufacture

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kaufen Wachstums-Methode CZ-Siliziumscheibe 5" Orientierung <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0> Online fabricant

Wachstums-Methode CZ-Siliziumscheibe 5" Orientierung <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
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2022-09-27 16:53:40
kaufen N-Art Art des Sb-N als Siliziumscheibe 6 Zoll 8 Zoll Online fabricant

N-Art Art des Sb-N als Siliziumscheibe 6 Zoll 8 Zoll
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2023-02-17 12:43:17
kaufen Haupt- 2&quot; Siliziumscheibe Standard-&lt;10 μm maximales Capabilities&lt;5um Online fabricant

Haupt- 2" Siliziumscheibe Standard-<10 μm maximales Capabilities<5um
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2022-09-27 16:52:11
kaufen JDCD06-001-003 4 Zoll Geräte der Siliziumscheibe-MEMS, integrierte Schaltungen, engagierte Substrate für getrennte Geräte Online fabricant

JDCD06-001-003 4 Zoll Geräte der Siliziumscheibe-MEMS, integrierte Schaltungen, engagierte Substrate für getrennte Geräte
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2025-04-04 22:43:44
kaufen JDCD06-001-006 8-Zoll-Siliziumwafer MEMS-Geräte Integrierte Schaltungen dedizierte Substrate für diskrete Geräte Online fabricant

JDCD06-001-006 8-Zoll-Siliziumwafer MEMS-Geräte Integrierte Schaltungen dedizierte Substrate für diskrete Geräte
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2025-04-27 11:43:51
kaufen JDCD06-001-007 12-Zoll-Siliziumwafer MEMS-Geräte Integrierte Schaltungen dedizierte Substrate für diskrete Geräte Online fabricant

JDCD06-001-007 12-Zoll-Siliziumwafer MEMS-Geräte Integrierte Schaltungen dedizierte Substrate für diskrete Geräte
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2025-04-27 11:43:51
kaufen JDCD06-001-004 5-Zoll-Siliziumwafer MEMS-Geräte Integrierte Schaltungen dedizierte Substrate für diskrete Geräte Online fabricant

JDCD06-001-004 5-Zoll-Siliziumwafer MEMS-Geräte Integrierte Schaltungen dedizierte Substrate für diskrete Geräte
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2025-04-27 11:43:51
kaufen 0,001–100 Ohm-cm Siliziumwafer P-Typ-Bor-Dotierstoff Online fabricant

0,001–100 Ohm-cm Siliziumwafer P-Typ-Bor-Dotierstoff
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2022-09-27 16:52:32
kaufen JDCD06-001-002 3-Zoll-Siliziumwafer-MEMS-Bauelemente, integrierte Schaltkreise, dedizierte Substrate für diskrete Bauelemente Online fabricant

JDCD06-001-002 3-Zoll-Siliziumwafer-MEMS-Bauelemente, integrierte Schaltkreise, dedizierte Substrate für diskrete Bauelemente
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2025-04-04 22:43:44
kaufen JDCD06-001-005 6-Zoll-Silizium-Wafer-MEMS-Geräte Integrierte Schaltungen dedizierte Substrate für diskrete Geräte Online fabricant

JDCD06-001-005 6-Zoll-Silizium-Wafer-MEMS-Geräte Integrierte Schaltungen dedizierte Substrate für diskrete Geräte
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

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Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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