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ga2o3 substrate single crystal online manufacture

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kaufen 0.6mm 0.8mm Ga2O3 einzelner Crystal Substrate Single Polishing Online Hersteller

0.6mm 0.8mm Ga2O3 einzelner Crystal Substrate Single Polishing
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10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Lesen Sie weiter
2024-10-29 11:49:58
kaufen 10 x 15 mm2 UID-dotierter freistehender Ga2O3-Wafer, Einzelpolierung Online Hersteller

10 x 15 mm2 UID-dotierter freistehender Ga2O3-Wafer, Einzelpolierung
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JDCD04-001-005 10x15mm2(-201)UID-Doped Free-Standing Ga2O3 Single Crystal Substrate Product Grade Single Polishing 10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single ... Lesen Sie weiter
2022-09-27 16:57:32
kaufen 10x10mm Ga2O3 Oblate 10x15mm einzelner Crystal Substrate Online Hersteller

10x10mm Ga2O3 Oblate 10x15mm einzelner Crystal Substrate
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10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 4.13E+17Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating ... Lesen Sie weiter
2022-09-27 16:57:06
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

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Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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