Referenzen |
Startseite Produkten type sic epitaxial wafer Online-Hersteller
Alle Produkte

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Sic Epitaxial- Oblate

(39)

GaAs-Epi-Wafer

(15)

CVD-Diamantsubstrate

(15)

Schnelles thermisches Vergütungssystem

(2)

Tester für Hall-Effekt-Sensoren

(3)

Aluminium-Nitrid-Oblate

(21)

Laserdiode-Chip

(10)

Silikon-Karbid-Kristall

(12)

Ga2O3-Wafer

(13)

Siliziumscheibe

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Kopierte Sapphire Substrates

(10)

oblaten-Halter

(1)

Wafer-Dicing-Maschine

(5)
Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
Ich bin online Chat Jetzt

n type sic epitaxial wafer online manufacture

(23)
kaufen P Niveau SI Art 6inch 4H Substrat 150mm sic halb isolierend Online fabricant

P Niveau SI Art 6inch 4H Substrat 150mm sic halb isolierend
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-10-24 10:21:46
kaufen 2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte Online fabricant

2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte
Kontakt

Lesen Sie weiter
2025-04-04 22:43:44
kaufen SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um Online fabricant

SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-10-08 16:41:01
Page 3 of 3|< 1 2 3 >|
über

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

NACHRICHT HINTERLASSEN

Datenschutz-Bestimmungen | CHINA Gut Qualität GaN Epitaxial Wafer Fournisseur. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.