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Produktdetails:
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| Produktname: | freistehender GaN Substrates | Stärke: | 350 ±25µm |
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| TTV: | ≤ 10µm | Bogen: | - 10µm ≤ BOGEN ≤ 10µm |
| Versetzungsdichte: | Von ⁵ 1 x 10 zu 3 x 10 ⁶ cm⁻ ² | Makrodefekt-Dichte: | ² 0cm⁻ |
| Hervorheben: | SP-Face-Galliumnitrid-Substrat,Galliumnitrid-Wafer 350 um,5 x 10 |
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5 x 10 mm2Freistehende GaN-Substrate 350 ±25 µm Ab 1 x 105bis 3 x 106cm-2
5*10mm2SP-Fläche (20-21)/(20-2-1) Undotiertes freistehendes GaN-Einkristallsubstrat vom SI-Typ Widerstand > 106Ω·cm HF-Bauelemente-Wafer
Überblick
Es gibt drei Hauptsubstrate, die mit GaN verwendet werden – Siliziumkarbid (SiC), Silizium (Si) und Diamant.GaN auf SiC ist das gebräuchlichste der drei und wurde in verschiedenen Anwendungen im Militär und für drahtlose Infrastrukturanwendungen mit hoher Leistung verwendet.GaN auf Si ist ein neueres Substrat, dessen Leistung nicht so gut ist wie SiC, aber wirtschaftlicher ist.GaN auf Diamant ist am leistungsfähigsten, da es jedoch neu und relativ teuer ist, sind Anwendungen, in denen dies verwendet wurde, begrenzt.Wir haben alle drei GaN-Substrate in der folgenden Tabelle verglichen.
| (20-21)/(20-2-1) FAce Free-stAndichNG GAN SubstRaTeS | ||||
| Artikel |
GaN-FS-SP-US |
GaN-FS-SP-NS |
GaN-FS-SP-SI-S |
Bemerkungen: Zur Unterscheidung von Vorder- und Rückseite wird ein Kreisbogenwinkel (R < 2 mm) verwendet. |
| Maße | 5 x 10 mm2 | |||
| Dicke | 350 ±25 µm | |||
| Orientierung |
(20-21)/(20-2-1) Planabweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5° (20-21)/(20-2-1) Planabweichungswinkel zur C-Achse - 1 ±0,2° |
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| Leitungstyp | N-Typ | N-Typ | Halbisolierend | |
| Widerstand (300 K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 µm | |||
| BOGEN | - 10 µm ≤ BOGEN ≤ 10 µm | |||
| Rauheit der Vorderseite |
< 0,2 nm (poliert)； oder < 0,3 nm (poliert und Oberflächenbehandlung für Epitaxie) |
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| Rauheit der Rückseite |
0,5 ~ 1,5 μm Option: 1~3 nm (fein geschliffen);< 0,2 nm (poliert) |
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| Versetzungsdichte | Ab 1 x 105bis 3 x 106cm-2 | |||
| Makrodefektdichte | 0cm-2 | |||
| Nutzfläche | > 90 % (Randausschluss) | |||
| Paket | Verpackt in einer Reinraumumgebung der Klasse 100, in einem 6-PCS-Behälter, unter einer Stickstoffatmosphäre | |||
Anhang: Das Diagramm des Fehlschnittwinkels
Wenn δ1= 0 ±0,5°, dann ist der (20-21)/(20-2-1) Ebenenabweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5°.
Wenn δ2= - 1 ±0,2°, dann ist der (20-21)/(20-2-1) Ebenenversatzwinkel in Richtung der C-Achse -1 ±0,2°.
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.
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