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n type sic epitaxial wafer online manufacture

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kaufen 6-Zoll-N-Typ-Wafer P-MOS-Klasse 4H-SiC-Substrat 350,0 ± 25,0 um Online fabricant

6-Zoll-N-Typ-Wafer P-MOS-Klasse 4H-SiC-Substrat 350,0 ± 25,0 um
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2022-10-24 10:21:10
kaufen AlGaN-Schranke 4 Zoll GaN auf Silizium-HEMT Epi-Wafer Galliumnitrid GaN-on-Si Online fabricant

AlGaN-Schranke 4 Zoll GaN auf Silizium-HEMT Epi-Wafer Galliumnitrid GaN-on-Si
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2024-12-06 17:33:44
kaufen 6 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer Stromgerät Galliumnitrid GaN auf Si Online fabricant

6 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer Stromgerät Galliumnitrid GaN auf Si
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2024-12-06 17:38:23
kaufen 2 Zoll GaN auf Silizium Blau LD Epi Wafer GaN blauer Laser auf Silizium Online fabricant

2 Zoll GaN auf Silizium Blau LD Epi Wafer GaN blauer Laser auf Silizium
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2024-12-06 17:35:32
kaufen Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung Online fabricant

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung
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2024-10-14 17:06:30
kaufen 350 um 4H SiC-Substrat Online fabricant

350 um 4H SiC-Substrat
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2022-10-09 16:57:57
kaufen 4 Zoll 4H-SiC-Substrat P-Level N-Typ 350,0 ± 25,0 μM MPD ≤ 0,5/Cm2 Widerstand 0,015 Ω·Cm – 0,025 Ω·Cm Online fabricant

4 Zoll 4H-SiC-Substrat P-Level N-Typ 350,0 ± 25,0 μM MPD ≤ 0,5/Cm2 Widerstand 0,015 Ω·Cm – 0,025 Ω·Cm
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2025-04-04 22:43:25
kaufen 150 mm 4H SiC-Wafer, halbisolierendes Substrat, 6 Zoll, 350 μm Online fabricant

150 mm 4H SiC-Wafer, halbisolierendes Substrat, 6 Zoll, 350 μm
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2022-10-24 10:22:12
kaufen Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate Online fabricant

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48
kaufen P Niveau SI Art 6inch 4H Substrat 150mm sic halb isolierend Online fabricant

P Niveau SI Art 6inch 4H Substrat 150mm sic halb isolierend
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2022-10-24 10:21:46
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

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Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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