Referenzen |
Startseite Produkten type sic epitaxial wafer Online-Hersteller
Alle Produkte

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Sic Epitaxial- Oblate

(39)

GaAs-Epi-Wafer

(15)

CVD-Diamantsubstrate

(15)

Schnelles thermisches Vergütungssystem

(2)

Tester für Hall-Effekt-Sensoren

(3)

Aluminium-Nitrid-Oblate

(21)

Laserdiode-Chip

(10)

Silikon-Karbid-Kristall

(12)

Ga2O3-Wafer

(13)

Siliziumscheibe

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Kopierte Sapphire Substrates

(10)

oblaten-Halter

(1)

Wafer-Dicing-Maschine

(5)
Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
Ich bin online Chat Jetzt

n type sic epitaxial wafer online manufacture

(23)
kaufen Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung Online fabricant

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung
Kontakt

Lesen Sie weiter
2024-10-14 17:06:30
kaufen 350 um 4H SiC-Substrat Online fabricant

350 um 4H SiC-Substrat
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-10-09 16:57:57
kaufen Sic n-Art Substrat Online fabricant

Sic n-Art Substrat
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-10-09 16:57:15
kaufen 6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm Online fabricant

6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-10-24 10:23:04
kaufen 6 Zoll 4H SiC N-Substrat 47,5 mm Keine sekundäre Ebene Online fabricant

6 Zoll 4H SiC N-Substrat 47,5 mm Keine sekundäre Ebene
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-10-24 10:26:17
kaufen N-Typ 6-Zoll-4H-Siliziumkarbid-Substrat Primäre flache Länge 47,5 mm Online fabricant

N-Typ 6-Zoll-4H-Siliziumkarbid-Substrat Primäre flache Länge 47,5 mm
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-10-24 10:22:34
kaufen 150 mm 4H SiC-Wafer, halbisolierendes Substrat, 6 Zoll, 350 μm Online fabricant

150 mm 4H SiC-Wafer, halbisolierendes Substrat, 6 Zoll, 350 μm
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-10-24 10:22:12
kaufen 4 Zoll 4H-SiC-Substrat P-Level N-Typ 350,0 ± 25,0 μM MPD ≤ 0,5/Cm2 Widerstand 0,015 Ω·Cm – 0,025 Ω·Cm Online fabricant

4 Zoll 4H-SiC-Substrat P-Level N-Typ 350,0 ± 25,0 μM MPD ≤ 0,5/Cm2 Widerstand 0,015 Ω·Cm – 0,025 Ω·Cm
Kontakt

Lesen Sie weiter
2025-04-04 22:43:25
kaufen 6-Zoll-N-Typ-Wafer P-MOS-Klasse 4H-SiC-Substrat 350,0 ± 25,0 um Online fabricant

6-Zoll-N-Typ-Wafer P-MOS-Klasse 4H-SiC-Substrat 350,0 ± 25,0 um
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-10-24 10:21:10
kaufen Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate Online fabricant

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-10-08 17:19:48
Page 2 of 3|< 1 2 3 >|
über

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

NACHRICHT HINTERLASSEN

Datenschutz-Bestimmungen | CHINA Gut Qualität GaN Epitaxial Wafer Fournisseur. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.