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Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2

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Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2

Großes Bild :  Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2

Produktdetails:
Modellnummer: JDCD08-001-001
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 25 Stück oder Einzelwa
Zahlungsbedingungen: T/T

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2

Beschreibung
Oberflächenorientierung: Ein-Fläche (11-20) Material: Hoher Reinheitsgrad Al ₂ O ₃ (>99.995%)
Stärke: 430±15μm R-Fläche: R9
Durchmesser: 50,8 ±0.10 Oblatenrand: R-artig
Hervorheben:

Thk 430um Sapphire Substrate

,

R Art Halbleiterwafer

,

Sapphire Substrate-Soem

Thk 430μm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, der Länge (Millimeter) 16 LED-Chip

JDCD08-001-001 Saphirsubstratoblate des Durchmesser-50mm, Thk 430μm, Kristallrichtung C/M0.2, der Länge (Millimeter) 16 LED-Chip, Substratmaterial

In der praktischen Produktion wird die Saphiroblate gemacht, indem man die Kristallstange schneidet und dann reibt und poliert. Im Allgemeinen wird der Halbleiterwafer in eine Oblate durch den Drahtschnitt oder mehradrige Schneidemaschine geschnitten.

Saphir ist ein Material einer einzigartigen Kombination der körperlichen, chemischen und optischen Eigenschaften, die es beständig gegen Abnutzung der hohen Temperatur, des Wärmestoßes, des Wassers und des Sandes machen, und des Verkratzens. Es ist ein überlegenes Fenstermaterial für viele IR-Anwendungen von 3µm bis 5µm. C-Flächensaphirsubstrate sind weitverbreitet, III-V und II-VI Mittel wie GaN für blaue LED und Laserdioden zu wachsen, während R-Flächensaphirsubstrate für die hetero-Epitaxial- Absetzung des Silikons für Mikroelektronische IC-Anwendungen benutzt werden.

Parameter

Spezifikation
Einheit Ziel Toleranz
Material Hoher Reinheitsgrad Al2 O3 (>99.995%)
Durchmesser Millimeter 50,8 ±0.10
Stärke μm 430 ±15
Oberflächenorientierung C-Fläche (0001)
- Weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse Grad 0,20 ±0.10
- Weg vom Winkel in Richtung zur Ein-Achse Grad 0,00 ±0.10
Flache Orientierung Ein-Fläche (11-20)
- Flacher Offsetwinkel Grad 0,0 ±0.2
Flache Länge Millimeter 16,0 ±1
R-Fläche R9
Vordere Oberflächenrauigkeit (Ra) Nanometer <0.3
Hintere Oberflächenrauigkeit μm 0.8~1.2μm
Vordere Oberflächenbeschaffenheit Spiegel polierte, EPI-bereit
Oblatenrand R-artig
Abschrägungsumfang μm 80-160
Öffnungswinkeleinheitswinkel zwischen flachem Rand und rundem Rand Millimeter R=9
TTV μm ≤5
LTV (5x5mm) μm ≤1.5
Bogen μm 0~-5
Verzerrung μm ≤10
Laser-Kennzeichen Wie Kunde erfordert

Über uns

Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.

FAQ

Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
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Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <> Zahlung >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Balance vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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