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C-Gesicht 10*10.5mm2 F.E.-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
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C-Gesicht 10*10.5mm2 F.E.-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate

C-Gesicht 10*10.5mm2 F.E.-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate
C-Gesicht 10*10.5mm2 F.E.-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate C-Gesicht 10*10.5mm2 F.E.-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate C-Gesicht 10*10.5mm2 F.E.-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate C-Gesicht 10*10.5mm2 F.E.-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate

Großes Bild :  C-Gesicht 10*10.5mm2 F.E.-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou China
Markenname: GaNova
Zertifizierung: UKAS/ISO9001:2015
Modellnummer: JDCD01-001-003
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 6 Stück oder Einzelwaf
Lieferzeit: 3-4 Wochentage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000pcs/Month

C-Gesicht 10*10.5mm2 F.E.-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate

Beschreibung
Maße: 10 x 10,5 mm² Stärke: 350 ±25µm
TTV: ≤ 10 µm Bogen: - 10 µm ≤ BOGEN ≤ 10 µm
Makrodefekt-Dichte: ² 0cm⁻ Verwendbarer Bereich: > 90% (Randausschluß)
Produktname: GaN Epitaxial Wafer Nationale Standards von China: GB/T32282-2015

C-Gesicht 10*10.5mm2 F.E.-lackierte Si-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft > 106 Ω·cm Rf-Gerätoblate


Überblick

Wir verkaufen direkt von der Fabrik und können die besten Preise auf dem Markt für Kristallsubstrate GaN der hohen Qualität deshalb anbieten. Kunden aus der ganzen Welt haben unseren Versorgungen als ihr bevorzugter Lieferant von Kristallsubstraten GaN vertraut.

Galliumnitrid oder GaN, ist ein Material, das beginnt, für Halbleiter in den Ladegeräten benutzt zu werden. Es wurde verwendet, um LED zu machen, die in den neunziger Jahren beginnt, und es ist auch ein populäres Material für Solargeneratoren auf Satelliten. Die Hauptsache über GaN, wenn es um Ladegeräte geht, ist, dass sie weniger Hitze produziert.

10 x 10,5 mm2 freistehender GaN Substrates
Einzelteil GaN-FS-C-U-S10 GaN-FS-C-N-S10 GaN-FS-C-SI-S10

C-Gesicht 10*10.5mm2 F.E.-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate 0

Anmerkungen:
Ein Kreisbogenwinkel (R < 2="" mm="">

Maße 10 x 10,5 Millimeter2
Stärke µm 350 ±25
Orientierung C-Fläche (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse 0,35 ±0.15°
Leitungs-Art N-artig N-artig Halb-Isolieren
Widerstandskraft (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
Bogen - 10 µm ≤ BOGEN ≤ 10 µm
GA-Gesichts-Oberflächenrauigkeit < 0=""> oder < 0="">
N-Gesichts-Oberflächenrauigkeit 0,5 μm ~1,5
Wahl: 1~3 Nanometer (feiner Boden); < 0="">
Versetzungsdichte Von 1 x 105 bis 3 x 106 cm2 (berechnet durch CL) *
Makrodefekt-Dichte 0 cm2
Verwendbarer Bereich > 90% (Randausschluß)
Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, 6 PCS im Behälter, unter einer Stickstoffatmosphäre

*National Standards von China (GB/T32282-2015)

Über uns

Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.

FAQ

Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <> Zahlung >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Balance vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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