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Produktdetails:
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| Produktname: | Freistehender GaN Substrate | Maße: | 5 x 10 Millimeter ² |
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| Stärke: | 350 ±25µm | TTV: | ≤ 10µm |
| Bogen: | - 10µm ≤ BOGEN ≤ 10µm | Makrodefekt-Dichte: | ² 0cm⁻ |
| Hervorheben: | Un dotierter GaN-Epitaxie-Wafer,freistehende GaN-Substrate,GaN-Epitaxie-Wafer M-Fläche |
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5 x 10 mm2M Face freistehende GaN-Substrate 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm
5 * 10,5 mm2M-Fläche Undotiertes freistehendes GaN-Einkristallsubstrat vom n-Typ Widerstand < 0,1 Ω·cm Leistungsbauelement/Laserwafer
Überblick
Das GaN-Substrat hat eine beschädigungsfreie, sehr flache (Rms < 0,2 nm), kontrollierte Oberflächenorientierung und kontrollierte atomare Stufenoberflächen.Es wurde eine für epitaxiales Wachstum geeignete Oberflächenqualität erreicht.
Laserdioden: violette LD, blaue LD und grüne LD
Leistungselektronische Geräte, Hochfrequenzelektronische Geräte
| M FAs Free-stUndichNG GAN SubstRaTeS | ||||
| Artikel |
GaN-FS-MUS
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GaN-FS-MNS
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GaN-FS-M-SI-S |
Bemerkungen: Zur Unterscheidung von Vorder- und Rückseite wird ein Kreisbogenwinkel (R < 2 mm) verwendet. |
| Maße | 5 x 10 mm2 | |||
| Dicke | 350 ±25 µm | |||
| Orientierung |
M-Ebene (1-100) Abweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5° M-Ebene (1-100) Abweichungswinkel zur C-Achse - 1 ±0,2° |
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| Leitungstyp | N-Typ | N-Typ | Halbisolierend | |
| Widerstand (300 K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 µm | |||
| BOGEN | - 10 µm ≤ BOGEN ≤ 10 µm | |||
| Rauheit der Vorderseite |
< 0,2 nm (poliert)； oder < 0,3 nm (poliert und Oberflächenbehandlung für Epitaxie) |
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| Rauheit der Rückseite |
0,5 ~ 1,5 μm Option: 1~3 nm (fein geschliffen);< 0,2 nm (poliert) |
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| Versetzungsdichte | Ab 1 x 105bis 3 x 106cm-2 | |||
| Makrodefektdichte | 0cm-2 | |||
| Nutzfläche | > 90 % (Randausschluss) | |||
| Paket | Verpackt in einer Reinraumumgebung der Klasse 100, in einem 6-PCS-Behälter, unter einer Stickstoffatmosphäre | |||
Anhang: Das Diagramm des Fehlschnittwinkels
Wenn δ1= 0 ±0,5 Grad, dann beträgt der Abweichungswinkel der M-Ebene (1-100) zur A-Achse 0 ±0,5 Grad.
Wenn δ2= - 1 ± 0,2 Grad, dann beträgt der Abweichungswinkel der M-Ebene (1-100) zur C-Achse - 1 ± 0,2 Grad.
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.
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Ja, wir könnten das Muster kostenlos anbieten, zahlen aber nicht die Frachtkosten.
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