Nachricht senden
Startseite ProdukteGaN Epitaxial Wafer

SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
Ich bin online Chat Jetzt

SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät

SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät
SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät

Großes Bild :  SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou China
Markenname: GaNova
Zertifizierung: UKAS/ISO9001:2015
Modellnummer: JDCD01-001-012
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 6 Stück oder Einzelwaf
Lieferzeit: 3-4 Wochentage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000pcs/Month

SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät

Beschreibung
Maße: 5 x 10mm ² Stärke: 350 ±25µm
Orientierung: (10- 11) Planabweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5° (10- 11) Planabweichungswinkel zur C-Achse - 1 ±0 TTV: ≤ 10µm
Bogen: - 10µm ≤ BOGEN ≤ 10µm Makrodefekt-Dichte: ² 0cm⁻
Verwendbarer Bereich: > 90% (Randausschluß) Produktname: GaN Epitaxial Wafer
Hervorheben:

106 Ω·Cm GaN Einzelkristall Substrat

SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft > 106 Ω·cm Rf-Gerätoblate

Jetzt hat ein neues Material, das Gallium Nitride (GaN) genannt wird das Potenzial, Silikon als das Herz von elektronischen Chips zu ersetzen. Gallium-Nitrid kann höhere Spannungen, als stützen Silikon und der Strom schneller durch es fließen können. Außerdem ist der Energieverlust erheblich kleiner in GaN und macht es viel mehr leistungsfähig.


(10- 11) stellen Sie freistehende GaN-Substrate gegenüber
Einzelteil

GaN-RUMPFSTATION-SP-U-s

GaN-RUMPFSTATION-SP-N-s

GaN-RUMPFSTATION-SP-SI-s

SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät 0

Anmerkungen:

Ein Kreisbogenwinkel (R < 2="" mm="">

Maße 5 x 10 Millimeter2
Stärke µm 350 ±25
Orientierung

(10 - 11) Fläche weg vom Winkel in Richtung zur Ein-Achse 0 ±0.5°

(10 - 11) Fläche weg vom Winkel in Richtung zur C-Achse - 1 ±0.2°

Leitungs-Art N-artig N-artig Halb-Isolieren
Widerstandskraft (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOGEN - 10 µm ≤ BOGEN ≤ 10 µm
Front Surface Roughness

< 0="">

oder < 0="">

Hintere Oberflächenrauigkeit

0,5 μm ~1,5

Wahl: 1~3 Nanometer (feiner Boden); < 0="">

Versetzungsdichte Von 1 x 105 bis 3 x 106 cm2
Makrodefekt-Dichte 0 cm2
Verwendbarer Bereich > 90% (Randausschluß)
Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, 6 PCS im Behälter, unter einer Stickstoffatmosphäre

Anhang: Das Diagramm von miscut Winkel

SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät 1

Wenn δ1 = 0 ist ±0.5°, dann (10 - 11) Fläche weg vom Winkel in Richtung zur Ein-Achse 0 ±0.5°.

Wenn δ2 = - 1 ±0.2°, dann (10 - 11) Fläche weg vom Winkel in Richtung zur C-Achse ist - 1 ±0.2°.

Über uns

Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.

FAQ

Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <> Zahlung >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Balance vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)