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Freie Stellung U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 Millimeter 350 um

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
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Freie Stellung U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 Millimeter 350 um

Freie Stellung U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 Millimeter 350 um
Freie Stellung U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 Millimeter 350 um

Großes Bild :  Freie Stellung U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 Millimeter 350 um

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou China
Markenname: GaNova
Zertifizierung: UKAS/ISO9001:2015
Modellnummer: JDCD01-001-019
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 6 Stück oder Einzelwaf
Lieferzeit: 3-4 Wochentage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000pcs/Month

Freie Stellung U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 Millimeter 350 um

Beschreibung
Produktname: 2 Zoll freistehende U-GaN/SI-GaN Substrate Maße: 50,8 ± 1mm
Stärke: 350 ± 25μm Orientierungs-Ebene: (1-100) ± 0.5˚, 16 ±1mm
Sekundärorientierungsebene: (11-20) ± 3˚, 8 ± 1mm GA-Gesichtsoberflächenrauigkeit: < 0="">
Hervorheben:

Freie Stellung GaN Epitaxial Wafer

,

U-GaNsi--c$gansubstrate

,

50.8mm GaN Epitaxial Wafer

2 Zoll freistehende U-GaN/SI-GaN Substrate 50,8 ± 1 Millimeter 350 ± 25 μm

C-Gesicht 2inch UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0="">


Überblick
GaN Breakdown Field

Ein höheres Zusammenbruchfeld bedeutet, dass Galliumnitrid über Silikon in den Hochspannungsstromkreisen wie starken Produkten überlegen ist. Hersteller und Ingenieure können GaN in den ähnlichen Spannungsanwendungen beim Beibehalten eines erheblich kleineren Abdruckes auch verwenden.

2 Zoll freistehende U-GaN/SI-GaN Substrate

Ausgezeichnetes Niveau (S)

Produktionsebene (A)

Forschung

Niveau (b)

Attrappe

Niveau (c)

Freie Stellung U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 Millimeter 350 um 0

Anmerkung:

(1) verwendbarer Bereich: Rand und Makrodefektausschluß

(2) 3 Punkte: das miscut angelt von den Positionen (2, 4, 5) sind 0,35 ± 0,15O

S-1 S-2 A-1 A-2
Maße ± 50,8 1 Millimeter
Stärke 350 ± 25 μm
Orientierungsebene (1-100) ± 0,5O, ± 16 1 Millimeter
Sekundärorientierungsebene (11-20) ± 3O, ± 8 1 Millimeter
Widerstandskraft (300K)

< 0="">

oder > 1 x 106 Ω·cm für das Halb-Isolieren (F.E.-lackiert; GaN-FS-C-SI-C50)

TTV ≤ 15 μm
BOGEN ≤ 20 μm ≤ 40 μm
GA-Gesichtsoberflächenrauigkeit

< 0="">

oder < 0="">

N-Gesichtsoberflächenrauigkeit

0,5 μm ~1,5

Wahl: 1~3 Nanometer (feiner Boden); < 0="">

Paket Verpackt in einem Cleanroom im einzelnen Oblatenbehälter
Verwendbarer Bereich > 90% >80% >70%
Versetzungsdichte <9>5 cm2 <3x10>6 cm2 <9>5 cm2 <3x10>6 cm2 <3x10>6 cm2
Orientierung: C-Fläche (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse

0,35 ± 0,15O

(3 Punkte)

0,35 ± 0,15O

(3 Punkte)

0,35 ± 0,15O

(3 Punkte)

Makrodefektdichte (Loch) 0 cm2 < 0="">-2 < 1="" cm="">-2
Maximale Größe von Makrodefekten < 700=""> < 2000=""> < 4000="">

Über uns

Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.

FAQ

Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <> Zahlung >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Balance vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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