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4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand>0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
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4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand>0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer

4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand>0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer
4 Inch N-Type UID-Doped GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity>0.5 Ω cm LED, Laser, PIN Epitaxial Wafer
4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand>0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer 4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand>0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer

Großes Bild :  4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand>0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou China
Markenname: GaNova
Zertifizierung: UKAS/ISO9001:2015
Modellnummer: JDWY03-001-025
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 6 Stück oder Einzelwaf
Lieferzeit: 3-4 Wochentage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000pcs/Month

4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand>0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer

Beschreibung
Maße: 100 ± 0.2mm Stärke/Stärke Geschlechtskrankheit: 4,5 ± 0.5μm/< 3%
Orientierung: C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur A-Achse 0,2 ± 0,1 ° Orientierungs-Ebene von GaN: (1-100) 0 ± 0.2°, 30 ± 1mm
Leitungs-Art: N-TYPE
Hervorheben:

PIN GaN auf Saphirwafer

,

4 Zoll GaN auf Saphirwafer

4 Zoll UID-dotiertes GaN vom N-Typ auf Saphirwafer SSP-Widerstand > 0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxiewafer

 

Beispielsweise ist GaN das Substrat, das violette (405 nm) Laserdioden ermöglicht, ohne Verwendung einer nichtlinearen optischen Frequenzverdopplung.Seine Empfindlichkeit gegenüber ionisierender Strahlung ist gering (wie andere Nitride der Gruppe III), was es zu einem geeigneten Material für Solarzellenanordnungen für Satelliten macht.Militär- und Weltraumanwendungen könnten ebenfalls davon profitieren, da die Geräte Stabilität in Strahlungsumgebungen gezeigt haben.

 

 

Undotierte 4-Zoll-GaN/Saphir-Substrate
Artikel GaN-TCU-C100

4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand>0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer 0

Maße 100 ± 0,2 mm
Dicke/Dicke STD 4,5 ± 0,5 µm / < 3 %
Orientierung C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur A-Achse 0,2 ± 0,1 °
Orientierungsfläche aus GaN (1-100) 0 ± 0,2 °, 30 ± 1 mm
Leitungstyp N-Typ
Widerstand (300 K) > 0,5 Ω·cm
Trägerkonzentration < 2 x 1017cm-3
Mobilität > 300cm2/V·s
*XRD-FWHMs (0002) < 300 Bogensekunden, (10-12) < 400 Bogensekunden
Struktur ~ 4,5 μm uGaN / ~ 25 nm uGaN-Puffer / 650 ± 25 μm Saphir
Ausrichtung von Saphir C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse 0,2 ± 0,1 °
Orientierungsfläche aus Saphir (11-20) 0 ± 0,2 °, 30 ± 1 mm
Saphir polnisch Einseitig poliert (SSP) / Doppelseitig poliert (DSP)
Nutzfläche > 90 % (Ausschluss von Rand- und Makrofehlern)
Paket

Verpackt im Reinraum in Containern:

einzelne Waferbox (< 3 PCS) oder Kassette (≥ 3 PCS)

 

 

Über uns

Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.

 

 

FAQ

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Wir sind Fabrik.
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In der Regel sind es 3-5 Tage, wenn die Ware auf Lager ist.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Ware nicht auf Lager ist, es ist nach Menge.
F: Stellen Sie Proben zur Verfügung?Ist es kostenlos oder extra?
Ja, wir könnten das Muster kostenlos anbieten, zahlen aber nicht die Frachtkosten.
F: Wie lauten Ihre Zahlungsbedingungen?
Zahlung <=5000USD, 100% im Voraus.
Paymen >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Restbetrag vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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