Produktdetails:
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Maße: | 100 ± 0.2mm | Stärke/Stärke Geschlechtskrankheit: | 4,5 ± 0.5μm/< 3% |
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Orientierung: | C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur A-Achse 0,2 ± 0,1 ° | Orientierungs-Ebene von GaN: | (1-100) 0 ± 0.2°, 30 ± 1mm |
Leitungs-Art: | N-TYPE | ||
Hervorheben: | PIN GaN auf Saphirwafer,4 Zoll GaN auf Saphirwafer |
4 Zoll UID-dotiertes GaN vom N-Typ auf Saphirwafer SSP-Widerstand > 0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxiewafer
Beispielsweise ist GaN das Substrat, das violette (405 nm) Laserdioden ermöglicht, ohne Verwendung einer nichtlinearen optischen Frequenzverdopplung.Seine Empfindlichkeit gegenüber ionisierender Strahlung ist gering (wie andere Nitride der Gruppe III), was es zu einem geeigneten Material für Solarzellenanordnungen für Satelliten macht.Militär- und Weltraumanwendungen könnten ebenfalls davon profitieren, da die Geräte Stabilität in Strahlungsumgebungen gezeigt haben.
Undotierte 4-Zoll-GaN/Saphir-Substrate | ||
Artikel | GaN-TCU-C100 |
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Maße | 100 ± 0,2 mm | |
Dicke/Dicke STD | 4,5 ± 0,5 µm / < 3 % | |
Orientierung | C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur A-Achse 0,2 ± 0,1 ° | |
Orientierungsfläche aus GaN | (1-100) 0 ± 0,2 °, 30 ± 1 mm | |
Leitungstyp | N-Typ | |
Widerstand (300 K) | > 0,5 Ω·cm | |
Trägerkonzentration | < 2 x 1017cm-3 | |
Mobilität | > 300cm2/V·s | |
*XRD-FWHMs | (0002) < 300 Bogensekunden, (10-12) < 400 Bogensekunden | |
Struktur | ~ 4,5 μm uGaN / ~ 25 nm uGaN-Puffer / 650 ± 25 μm Saphir | |
Ausrichtung von Saphir | C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse 0,2 ± 0,1 ° | |
Orientierungsfläche aus Saphir | (11-20) 0 ± 0,2 °, 30 ± 1 mm | |
Saphir polnisch | Einseitig poliert (SSP) / Doppelseitig poliert (DSP) | |
Nutzfläche | > 90 % (Ausschluss von Rand- und Makrofehlern) | |
Paket |
Verpackt im Reinraum in Containern: einzelne Waferbox (< 3 PCS) oder Kassette (≥ 3 PCS) |
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.
FAQ
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Wir sind Fabrik.
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Ja, wir könnten das Muster kostenlos anbieten, zahlen aber nicht die Frachtkosten.
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