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10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate – 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
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10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate – 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate – 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate – 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

Großes Bild :  10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate – 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou China
Markenname: GaNova
Zertifizierung: UKAS/ISO9001:2015
Modellnummer: JDCD01-001-001
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 6 Stück oder Einzelwaf
Lieferzeit: 3-4 Wochentage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000pcs/Month

10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate – 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

Beschreibung
Produktname: GaN Epitaxial Wafer Maße: 10 x 10,5 mm²
Stärke: 350 ±25µm Orientierung: C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse 0,35 ±0,15°
TTV: ≤ 10µm Bogen: - 10µm ≤ BOGEN ≤ 10µm

10*10,5 mm² C-Fläche Undotiertes, freistehendes GaN-Einkristallsubstrat vom n-Typ Widerstand < 0,1 Ω·cm Leistungsgerät/Laser

 

 

Anwendungen

Laserdioden: violette LD, blaue LD und grüne LD
Leistungselektronische Geräte, Hochfrequenzelektronische Geräte

 

Mehr als 10 Jahre Erfahrung in der Waferherstellungstechnologie mit GaAs-Substraten wurden in die GaN-Substratproduktion eingebracht.Das GaN-Substrat hat eine beschädigungsfreie, sehr flache (Rms < 0,2 nm), kontrollierte Oberflächenorientierung und kontrollierte atomare Stufenoberflächen.Es wurde eine für epitaxiales Wachstum geeignete Oberflächenqualität erreicht.

 

 

10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate
Artikel GaN-FS-CU-S10 GaN-FS-CN-S10 GaN-FS-C-SI-S10

10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate – 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm 0

Bemerkungen:
Zur Unterscheidung der Ga- und N-Fläche wird ein Kreisbogenwinkel (R < 2 mm) verwendet.

Maße 10 x 10,5 mm2
Dicke 350 ±25 µm
Orientierung C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse 0,35 ±0,15°
Leitungstyp N-Typ N-Typ Halbisolierend
Widerstand (300K) < 0,1 Ω·cm < 0,05 Ω·cm > 106Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
Bogen - 10 µm ≤ BOGEN ≤ 10 µm
Oberflächenrauheit der Ga-Oberfläche < 0,2 nm (poliert)
oder < 0,3 nm (poliert und Oberflächenbehandlung für Epitaxie)
N Stirnflächenrauheit 0,5 ~ 1,5 μm
Option: 1~3 nm (fein geschliffen);< 0,2 nm (poliert)
Versetzungsdichte Ab 1 x 105bis 3 x 106cm-2(berechnet von CL)*
Makrodefektdichte 0cm-2
Nutzfläche > 90 % (Randausschluss)
Paket Verpackt in einer Reinraumumgebung der Klasse 100, in einem 6-PCS-Behälter, unter einer Stickstoffatmosphäre

*Nationale Standards von China (GB/T32282-2015)

 

 

10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate – 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm 1

 

Über uns

Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.

 

 

FAQ

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Zahlung <=5000USD, 100% im Voraus.
Paymen >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Restbetrag vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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