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UNO-lackierte C-Gesicht 10 x 10,5 mm2 N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
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UNO-lackierte C-Gesicht 10 x 10,5 mm2 N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate

UNO-lackierte C-Gesicht 10 x 10,5 mm2 N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate
UNO-lackierte C-Gesicht 10 x 10,5 mm2 N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate

Großes Bild :  UNO-lackierte C-Gesicht 10 x 10,5 mm2 N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou China
Markenname: GaNova
Zertifizierung: UKAS/ISO9001:2015
Modellnummer: JDCD-01-001-001
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 6 Stück oder Einzelwaf
Lieferzeit: 3-4 Wochentage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000pcs/Month

UNO-lackierte C-Gesicht 10 x 10,5 mm2 N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate

Beschreibung
Produktname: Einzelnes Kristallsubstrat GaN Maße: 10 x 10,5 mm²
Stärke: 350 ±25µm Orientierung: C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse 0,35 ±0,15°
Bogen: - 10µm ≤ BOGEN ≤ 10µm Makrodefekt-Dichte: ² 0cm⁻

10*10.5mm ² C-Gesicht UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0="">


Überblick

Kristallsubstrate erstklassige Qualität GaN mit niedriger Versetzungsdichte (im Auftrag 105 /cm2) und Uniformoberfläche ohne periodische Defekte. Diese GaN-Kristalle der hohen Qualität haben einen verwendbaren Bereich von mehr als 90%.

Wir verkaufen direkt von der Fabrik und können den besten Preis auf dem Markt für Kristallsubstrate GaN der hohen Qualität deshalb anbieten.

10 x 10,5 Millimeter2 freistehender GaN Substrates
Einzelteil GaN-FS-C-U-S10 GaN-FS-C-N-S10 GaN-FS-C-SI-S10

UNO-lackierte C-Gesicht 10 x 10,5 mm2 N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate 0

Anmerkungen:
Ein Kreisbogenwinkel (R < 2="" mm="">

Maße 10 x 10,5 Millimeter2
Stärke µm 350 ±25
Orientierung C-Fläche (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse 0,35 ±0.15°
Leitungs-Art N-artig N-artig Halb-Isolieren
Widerstandskraft (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
Bogen - 10 µm ≤ BOGEN ≤ 10 µm
GA-Gesichts-Oberflächenrauigkeit < 0=""> oder < 0="">
N-Gesichts-Oberflächenrauigkeit 0,5 μm ~1,5
Wahl: 1~3 Nanometer (feiner Boden); < 0="">
Versetzungsdichte Von 1 x 105 bis 3 x 106 cm2 (berechnet durch CL) *
Makrodefekt-Dichte 0 cm2
Verwendbarer Bereich > 90% (Randausschluß)
Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, 6 PCS im Behälter, unter einer Stickstoffatmosphäre

*National Standards von China (GB/T32282-2015)

UNO-lackierte C-Gesicht 10 x 10,5 mm2 N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate 1

Über uns

Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.

FAQ

Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <> Zahlung >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Balance vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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